[参考译文] TMS570LS3137：有关 PBIST 的问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1017021/tms570ls3137-questions-about-pbist

器件型号：TMS570LS3137

1.根据 Chpter 7中的说明、"有关每个存储器的 RDS 值的信息、请参阅表2-5。" 虽然 TRM 中的表2-5显示了散射 RAM 组的 RDS，但没有关于 RDS 含义的确切信息。因此、如果自检失败、RAM 配置寄存器(RAMT)中 RDS 的确切含义是什么？

在表2-5中、ESRAM1、ESRAM5、ESRAM6、ESRAM8的确切含义是什么？它们是某些模块的 RAM？如果是、请告诉我确切的模块及其相应的关系。为什么没有 TCRAM 分组？

正如您所说的、μ，程序控制寄存器是一个寄存器。 '如果需要、使用程序控制寄存器(偏移= 0x16c) STR = 2来恢复测试。' 如果我想恢复测试、如何对其进行编程？

谢谢。

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2589280 points

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您好！

rds：返回数据选择、指示 RAM 组(RGS)中的存储器数据片、其最大宽度通常为32位

ESRAM1/5/6/8：MCU 内部 RAM 组。每个组为64KB。

为了进行自检、在遇到任何 RAM 组故障时、寄存器 STR (程序控制寄存器)需要写入"Resume"值(0x2)。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2589280 points

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感谢你的答复。

表2-5中为什么没有 TCRAM 的 RDS 和 RGS 信息？
2.如果自检算法在相应的 RAM 上运行，自检完成后，RAMT 中的 RDS 字段值为“1”，“1”的含义是什么？如果值为“0”，含义是什么？
在寄存器列表(光电1)中、STR 是保留的寄存器、无法写入。但在示例上下文(photo2)中、可以将其写入以恢复自检。它是不一致的、哪一个是正确的？