[参考译文] TM4C123FH6PM：EEPROM 使用和最大写入帮助

您好！

 我的同事有一份未发布的关于 EEPROM 工作原理的应用手册。 其中包含以下有关寿命周期计算方法的说明。 希望这对您有所帮助。 此应用手册仍在进行中、计划在将来发布。  

2工作原理
2.1正常使用
TM4C123x 器件的 EEPROM 由一组分离门闪存组成。 闪存单元具有超过100、000个周期的固有写入擦除耐久性。 该银行有17个部门。 16个扇区用于数据、17个扇区用于复制缓冲区。 扇区是一次可以擦除的最小量。 十六个数据扇区中的每一个都分为两个块。 每个块包含16个32位字(64字节)。 在该块中、16个字的7个映像实际上有存储位置、并具有额外的闪存控制位、以确定7个映像中的哪一个映像保存有效数据。
在正常操作中、EEPROM 硬件状态机跟踪一个字的七个映像中的哪个映像有效。 当程序第八次尝试更新一个字时、该字最初被写入复制扇区。 然后、其他31个字((16个字 x 2个块)–1)中每个字的当前值也被复制到复制扇区。 然后、数据扇区被擦除、并且复制扇区中的数据被编程到数据扇区的第一个映像中。
复制扇区(如数据扇区)具有多个图像。 复印扇区中有12个图像位置。 这意味着、在第十三次必须擦除数据扇区之前、必须擦除复制扇区以准备更多空间。 硬件状态机将在下一次数据扇区需要擦除时启动复制扇区的擦除。 这会导致数据在非易失性存储器中存储之前的延迟更长。

2.2正常寿命
由于每个闪存单元能够进行超过100、000个写入擦除周期、并且一个块中每个字有7个可用的映像副本、因此预期该字能够进行超过700、000个写入擦除周期。 这是正确的、但扇区中的其他字会影响任何闪存单元看到的写入擦除周期总数。 每次将闪存单元从0更改为1时、将在闪存单元上执行写擦除周期。 也就是说、每次电子通过擦除氧化物从浮动栅极中拉出时。 以编程到数据块中的两个字为例。 第一个字更新了700、000次、第二个字根本不更新。 假设两个字的最低有效位始终为0。 由于70万次写入、包含该块的扇区将被擦除100、000次。 正如预期的那样、被改变的700、000次字将在所有7个图像中的最低有效位上出现100、000次写入擦除周期。 这些双边投资条约即将结束。 也许出乎意料的是、从未更新过的第二个字的最低有效位也会在第一个映像中出现100、000次写入擦除周期。 这一问题也将接近尾声。

在典型应用中、不同的字在不同的频率上更新。 由于最常更新的字、可能不是在七个更新的长度内最常更新的字、因此为扇区中最常更新的字指定了500、000个周期的保守限制。
当在单次扫描中写入大量数据时、可实现磨损矫正的完整600、000写入擦除周期优势。 增加软件磨损矫正、甚至可以实现更多的写入擦除周期。

注意：在进行扫描编程时、您将获得600、000个有效的写入擦除周期、而不是700、000个写入擦除周期。 当您第八次写入扫描的第一个字时、扇区会被擦除、第一个字的第八个值会编程到新擦除的位置、同时扫描中所有其他字的第七个版本也会被擦除。 然后、当您更新扫描的第二个字时、它将占用该位置的第二个图像。 第二个位置只剩下五个图像位置。 在第十四次写入扫描的第一个字时、它驻留在第七个图像中。 但是、当您写入第二个字的第十四个版本时、它将启动扇区复制。 如果始终按相同的顺序对扫描的字进行编程、则连续的字将启动扇区复制。 您将在每个扇区复制操作之间存储六个有效的扫描数据版本。