[参考译文] MSP432E401Y：休眠电流消耗

您好！

 我有一些问题。

 -您是否处于 VDD3ON 模式且 I/O 处于保持状态？

 -您运行的是自己的应用软件还是 SDK 休眠示例？

 -您能否确认是否运行 SDK 休眠示例、您将获得类似的电流、如43uA。 这是为了确定软件是否存在问题。

 -您能否在 LaunchPad EVM 板上运行自己的应用程序和 SDK 休眠示例？ 您能实现的电流仅为43uA 还是低得多？

 -您是否有多个您可以尝试的定制板？ 您是否获得了类似的结果？

-我们正在使用休眠模式，我们可以使用示波器验证 I/O 是否未被保留。
-我们使用 TI 示例代码来编写我们自己的应用软件。 我们只有按下按钮作为唤醒条件。  

-尝试在 LaunchPad EVM 板上运行我们自己的代码时、我们会获得低得多的电流。 我们将休眠模块的硬件设计标记为 U1C、并将其与 Launchpad 电路板的 PCB 原理图相同、pdf slau748b.pdf 用户指南。 我不确定还有什么可以打开、因为我们只为该休眠模块供电。 VBAT 正在为该模块供电。  
-与 Launchpad 不同的是、我们没有任何器件连接到引脚53、54、56、57。 这是我们可以考虑的吗？  
我们在多个定制板上进行了尝试、并获得了与休眠状态下的电流相同的结果。  

我们发现 WAKE_N 引脚的高电平为1.2V。 我们使用相同的代码在 Launchpad 上测量高于3V 的电压。
您知道吗？我们是否能在某个位置找到有关 WAKE 引脚上应提供多少功率以保持高电平的信息？ 我们的电路板可能处于某种转换模式、WAKE_n 引脚不够高、无法处于休眠状态

因此、这不是软件问题、因为您可以在 LP 上运行自己的软件并获得低得多的电流。  

根据建议、如果不使用以太网、则引脚53、54、56、57的状态为 NC。  

1.2V 更像是悬空。 出于实验目的、您能否将其连接到3.3V、您是否看到更高的电流？

下面是数据表中所示的推荐电路。 您的 WAKE_n 引脚的构建是否与下面的类似？

很高兴听到这个消息。  

我有点困惑。 您刚才说过、VBAT 上的电流达到1.23uA。 您是否说您在休眠期间测量了两个不同的 MCU 电流？

是否将 RST_N 配置为唤醒源之一？

我不确定 RST 上的2.3V 是否过低、无法满足引脚的 VIH。 您是否可以通过实验将 RST_N 上的电压升高到更高水平、这样会给您带来更好的结果？ 当 RST_N 等于0V 时、如果您已将 RST_N 配置为另一个唤醒源、它可能会成为唤醒事件。  

您好、感谢您的回复。

引述："我有点困惑。 您刚才说过、VBAT 上的电流达到1.23uA。 您说您在休眠期间测量了两个不同的 MCU 电流吗？"

-  我们有一个电阻器、该电阻器将电流泄漏到触点、这就是为什么我们在 VBAT 上具有过高的电流、因此电流从43uA 变为1.23uA。 当我们移除该电阻器时、得到的值为1.23uA。 该电阻器连接到会生成唤醒源的引脚、因为该引脚也连接到 WAKE_N、并且可以将引脚 WAKE_N 驱动为低电平。 当我们在引脚70处测量电流并得到12.4uA 时、我们感到担忧。 我们认为它太高了。 此引脚可能存在电流泄漏或其他问题。

如果电流过大、复位引脚是否会出现问题、我们当时认为这可能会导致最终产品出现问题。 在 CPU MSP432E401Y 的技术参考中、我找不到进入休眠中 RESET 引脚的典型电流信息。  

引述："您是否将 RST_N 配置为唤醒源之一？"
我们没有将 RST_N 引脚用作唤醒源。 该复位引脚仅通过二极管连接到调试触点、通过100k 电阻连接到休眠模式下的电流源。   

此致、  

Gergana Tanova

您好！

当我们在引脚70处测量电流并得到12.4uA 时、我们感到担忧。 我们认为它太高了。 此引脚可能存在电流泄漏或其他问题。

如果电流过大、复位引脚是否会出现问题、我们当时认为这可能会导致最终产品出现问题。 在 CPU MSP432E401Y 的技术参考中、我找不到进入休眠中 RESET 引脚的典型电流信息。  

我真的不知道是什么导致 RST_N 引脚在休眠期间具有更高的电流。 您是否有机会将 RST_N 上拉至 VDD 而不是 VBAT 作为实验？  

我看不到100k 电阻器的问题。 即使您不使用 RST_N 作为唤醒源、也需要将其上拉。 如果 RST_N 引脚为低电平、则在运行模式下、您将使器件复位。  

我们可以尝试一下！

同时、我们尝试将连接到 RST_N 的电阻器的电阻器值降低 到10k 、然后降低到4.7K。 结果是、与电阻器= 100k 时相比、引脚70的电流更高。  但我们没有确切的数字。

在我们的消费类电路板上、电阻为100k 时、进入引脚70的休眠电流为12.4uA、漂移为80nA。  

将 LaunchPad 上的电阻器更改为10k 时、我们得到的电流为54nA、漂移为54nA。 我们尝试了两种不同的 Launchpad 休眠情况：当 VDD 为3.3V 时和当 VDD 为0V 时。

当 VDD = 3.3V 时、结果为42nA；当 VDD = 0V 时、结果为59.2uA。  

 VDD 被移除时、流入引脚70的电流似乎存在差异。 您对此有什么了解吗？ 当 VDD = 0V 时、我们可能无法获得低电流？

您好、再说一次、

我们在下面附上了电路板的简化版原理图。 我们的问题是进入引脚70的电流过高。 您可能会看到可能的误差。  

您好！

 很抱歉、我希望能够帮助确定产生微妙高电流的原因。 我只能说、您的电路上 RST_N 和 WAKE_N 的实现与 LaunchPad 有一些差异。 由于 LaunchPad 在休眠模式下提供了所需的电流消耗、您是否可以模仿该电流消耗？

感谢你的答复。 这些引脚的不同实现方式更精确地意味着什么？  
我们希望根据名为 slau723a.pdf 的技术参考手册第6章 Hibenation 模块进行实施。 我们希望使用连接到 HIB_N 的外部稳压器、该稳压器可以在休眠期间移除 VDD、从而实现极低的功耗。 这是文档第481页的图6-4。  

您好！

 我看到的小差异是 、您通过二极管将 PN5连接到 WAKE_N。 PN5的用途是什么？ 在休眠期间、不会保留 I/O 的状态。 您可以打开或不打开二极管。 我还会看到 RST_N 和 WAKE_N 上拉至 ALOW_2V3。 我想知道、如果您将电压上拉至3V、会发生什么情况。  

您好！

 我想给大家一个好机会，我将在下星期二之前离开办公室。

从休眠状态唤醒后、我们使用 PN5读取按钮按压操作。  

我们尝试在 LaunchPad 上连接上拉至3.3V。 如果我们查看 launchpad 的数据表、则 R39已断开连接。 R38、R42和 R44始终连接到+3V3。 所有 VDD 引脚都没有任何电源 、因为我们移除了跳线 JP2。 结果是、通过 R44的电流消耗(复位上拉)从42nA 上升到59.2uA。

您好、Gergana、

 很抱歉,我不在办公室,刚回来。  

这是在您自己的定制板上还是在 LaunchPad 板上？ LP 板具有 JP2。 您的定制板也有吗？ 只是希望确保我们讨论的是同一个板。  

  我对问题所在的位置有些想法。 移除 JP2后、您会在 LP 到 TARGET_RESET 的 TGT_RST 上测量什么？

没问题。

我讨论了 LaunchPad 以及我们对其进行的测试

客户电路板没有 JP2。 但是、如果移除 VDD 电流、我们希望在 Launchpad 上尝试、复位引脚上的电流将会发生什么情况。 当 VDD = 0V 时、复位引脚上的电流消耗很高、就像我们的定制电路板那样。

我可以返回 TGT_RST 的测量结果。

您好、Gergana、

 非常高兴您能够实现8uA 的电流。 正如我之前所说的、如果您不使用 RST 作为唤醒源、那么 RST 上电不好。 我将把这条线标记为已关闭、也很抱歉我昨天下班了、回复很晚。  

是的、希望这对其他开发人员有所帮助。  

感谢您的支持！