[参考译文] TMS570LC4357：Fapi_initializeFlashBanks 期间的数据中止

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1031088/tms570lc4357-data-abort-during-fapi_initializeflashbanks

器件型号：TMS570LC4357

我在 E2E 中没有看到任何类似此特定问题的内容。

我尝试使用闪存 API (2.01)在闪存中用于用户配置存储、该存储仅部分工作。启动时、我启用了擦除闪存并写入默认值；但是、在运行时、如果我尝试擦除闪存并对新值进行编程、我将获得数据中止。中止在第二次擦除之后以及编程前在 Fapi_initializeFlashBanks 内持续发生。

我的代码遵循 F021 API Vers2_01 spnu501h.pdf 中显示的流程图、我还尝试添加 Fapi_enableAutoEccCalculation、但这没有效果。我的所有 Fapi 调用返回 Fapi_Status_Success、并且初始闪存写入似乎是良好的数据、但我找不到闪存写入0x00200000 (Flash1)的关联 ECC 值。我还使用 Fapi_AutoEccGeneration 的参数调用一次具有8个字节数据的 Fapi_issueProgrammingCommand (已尝试16个)。

我怀疑这是一个 ECC 问题，但我不知道如何确认--是否有一个状态寄存器指示发生了闪存 ECC 错误？

另外、您是否有适合/集成在 HalCoGen 生成的代码中的示例闪存 API 代码？

谢谢、
Jim

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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您好、Jim、

0x200000处的数据 ECC 位于0xF0440000。

启动时、您可以使用 F021闪存 API 擦除/编程闪存。这是否意味着您在_c_int00_()中擦除/编程闪存？

我在 main()中擦除/编程闪存两次，没有问题

状态= Fapi_BlockErase (1、0x0200000、0x1000)；
STATUS = Fapi_BlockProgram (1、0x200000、(无符号整型)&Success、64)；
状态= Fapi_BlockErase (1、0x0200000、0x1000)；
STATUS = Fapi_BlockProgram (1、0x200000、(无符号整型)&Success、64)；

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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QJ、

在 c_int00调用 main 之后，我应该会更清楚一点--我正在擦除/编程闪存(无错误)。之后(也在后台任务中)、相同的调用失败。

您能否将您的源文件发送给 Fapi_BlockErase 和 Fapi_BlockProgram？我的函数可能源自 LS3137或 C2000示例代码、因此参数不同。然后、我可以准确地尝试您在上面写的内容。

谢谢、

Jim

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

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感谢您的帮助；这是我的错误。

Jim

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

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