[参考译文] TMS570LC4357：在70C 温度下忽略 EMIF 等待。

尊敬的  Koichiro San：

我以前从未听说过这个问题。  

EMIF 读取失败时、您是否读回 CE2CFG 寄存器和  AWCCR 寄存器的值以 确保 EW 位置位且 WP0位清零？

您好 QJ、

客户在失败后没有进行寄存器转储。
但寄存器值不可能损坏、因为软件在上电后只配置了一次寄存器值。
在下电上电后仍然观察到问题(即 EMIF 寄存器再次初始化)。

谢谢、此致、
田志郎一郎

Excel 文件中 nWait 信号的时序参数(设置时间、周期和延迟)看起来不错。  

电路板上的其他器件(存储器、晶体、电源等)是工业级(最高85°C)还是汽车级(最高125°C)？ 商用器件的温度上限仅为70C。

如果它们增加了 EMIF 异步设置/选通、是否有任何改进？  

您好 QJ、

客户使用工业级。

客户简要检查了一下。 添加+1选通可解决该问题。

谢谢、此致、
田志郎一郎

尊敬的  Koichiro San：

好的、谢谢您一郎。

可以理解的是、存储器器件需要更大的设置时间和更高温度下的选通时间(存储器速度变慢)。 如果使用相同的设置/选通、缩短 nWait 周期是否有用？

您好 QJ、

我不确定我是否正确理解了您的观点。
访问是读取的、因此 Hercules 侧需要根据 nWait 输入延长选通周期、对吧？
为什么在存储器端较慢的运行会导致 Hercules 端出现此类行为？
在70C 和 RT 时、存储器在相同的时序(来自 NCS2的36.25ns)下将 nWait 信号置为有效。

谢谢、此致、
田志郎一郎

尊敬的  Koichiro San：

我想知道、如果较小的 nWait 脉冲宽度在70C 下工作

您好 QJ、

客户想知道为什么需要此信息。 更改 nWait 脉冲周期需要一些时间。
他们怀疑问题的根本原因在于 Hercules 端而不是内存端。
如果需要针对高温修改数据表时序参数、则需要更新值。

谢谢、此致、
田志郎一郎

您好 QJ、

我知道、如果存储器速度变慢、则需要更长的选通周期。 选通信号宽度是可编程的。
但问题是、即使 nWait 在70C 时有效、EMIF 也不会扩展选通。
由于 nWait 信号置位时序在70C 和 RT 两种情况下看起来是相同的、这意味着 EMIF 无法正确检测 nWait。

我猜是 EMIF 参数#14，"tsu (EMOEL-EMWAIT)：建立时间，EMIFnWAIT 在频闪灯相位结束前置位"  
在70°C 时、最小值需要更长。  


客户发现在 EMIF 频闪灯中添加+1个周期可以解决此问题。
这同意上述假设。

谢谢、此致、
田志郎一郎