[参考译文] TM4C1297NCZAD：恢复引导加载程序

您好、Suzanne、

 让我先尝试了解一下您的设置。

 -我假设您有一个带 TM4C1297NCZAD MCU 的定制板、对吧？  

 -您有一个外部 XDS110调试探针、对吧？ 也许您可以拍摄您正在使用的 XDS110的图片。

 -您在谈论什么引导加载程序？ 闪存引导加载程序通常加载到0x0。  既不是0x2800也不是0x1800。 这就是我所困惑的地方。 您是否在谈论要在0x2800加载的应用固件、您能澄清一下吗？

 -我很困惑的另一件事是如何使用 LM 闪存编程器。 LM 闪存编程器用于具有板载 ICDI 调试探针的 LaunchPad。 LM 闪存编程器不支持 XDS200、XDS100和 JLink 等其他调试探针。 我认为它不支持 XDS110、即使 XDS110基于 ICDI。 您过去是否成功使用 LM 闪存编程器使用 XDS110对器件进行编程、因为这种组合对我来说是新的。 通常、您将使用 Uniflash、这是另一个支持各种调试探针的独立闪存编程器工具。  

您好、Charles、

是的、这是一个定制板。 这是我使用 https://www.ti.com/tool/TMDSEMU110-U?keyMatch=XDS110的 XDS110调试器

我遵循 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1031501/tm4c1297nczad-bootloader-code/3814744?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=%25252520user%2525253A174606#3814744提供的指南

我按照 SPMU373指南使用 LM 闪存编程器来刷写引导加载程序。 我使用的基本代码是  ti\TivaWare_C_Series-2.2.0.295\examples\boards\ek-tm4c1294xl\boot_serial。  

借助 LM Flash Programmer、 我将使用 USB DFU 通过 USB 连接对其进行刷写。 我已成功刷写它、并在使用正确的地址0x2800时工作。  但是 、在我用0x1800对其进行闪存之后、 我无法再检测到它。 我还有 XDS110和 XDS200 JTAG 编程器。 两个编程器都无法检测电路板。  

如何恢复它并使电路板再次引导至应用？  

谢谢

您好、Charles、

我能够根据您的建议恢复董事会的活力。

其他问题：

我正在构建代码、输出为 DLPNIRSCAN.bin。 这只是应用程序、还是引导加载程序和应用程序？ 我尝试在0x4000处刷写它、但它不起作用。 我检查 bin、该二进制文件从0x0开始。 我正在尝试对应用程序部件进行固件更新。 如何生成正确的纸槽以执行此操作？ 最初、我认为使用编译中的 bin 将起作用。 情况似乎并非如此。  

[引用 userid="174606" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1035585/tm4c1297nczad-recover-bootloader/3829414 #3829414]I 正在生成代码、输出为 DLPNIRSCAN.bin。 这只是应用程序还是引导加载程序和应用程序？[/quot]

 此 DLPNIRSCAN.bin 必须是您自己的应用程序。 我认为您应该比我更了解它是如何创建的。 构建此应用程序时、必须确保其链接到0x4000。 请参阅 boot_demo_ccs.cmd 链接器命令文件、了解如何构建示例应用。 下面是.cmd 文件的片段。  

/*应用程序的起始地址。 通常是中断矢量*/
/*必须位于应用程序的开头。 *
#define APP_BASE 0x00004000
#define RAM_base 0x20000000

您构建的 boot_serial 或任何引导加载程序应从0x0开始。 您可以通过 CCS 或 LM 闪存编程器通过 JTAG 加载此引导加载程序。 引导加载程序运行后、会将您的应用程序(例如 DLPNIRSCAN.bin)编程到地址0x4000。 但您必须 首先编译应用程序固件 DLPNIRSCAN.bin 并将其链接到0x4000。 如果将应用程序编译为从0x0开始、并让引导加载程序在0x4000处对应用程序进行编程、则不起作用。  

 我强烈建议您从 TivaWare 引导加载程序示例开始、并对此进行了解。 只需通过 JTAG 在0x0处加载 boot_serial (这是一个引导加载程序)。 运行后、您可以将 boot_demo1.bin 指定为要加载到 LM 闪存编程器中的应用程序、其偏移地址为0x4000。 请查看有关如何构建 boot_demo1的示例。 同样、库存 TivaWare 示例 boot_serial 原样将从 UART 端口引导加载。 您只需修改 bl_config.h 即可从 USB 端口进行引导加载。  

[引用 userid="174606" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1035585/tm4c1297nczad-recover-bootloader/3829414 #3829414"]我正在生成代码，输出为 DLPNIRSCAN.bin。

这是用于 DLPNIRNANOEVM 还是任何其他 TI DLP EVM/参考设计？

您好、Charles、

我的项目的.cmd 文件如下所示  

--retain=g_pfnVectors

/* The starting address of the application.  Normally the interrupt vectors  */
/* must be located at the beginning of the application.                      */
#define APP_BASE 0x00000000
#define RAM_BASE 0x20000000

MEMORY
{
    FLASH (RX) : origin = APP_BASE, length = 0x00100000
    SRAM (RWX) : origin = 0x20000000, length = 0x00040000
    SDRAM (RWX) : origin = 0x60000000, length = 0x01FFFFFF

}

/* The following command line options are set as part of the CCS project.    */
/* If you are building using the command line, or for some reason want to    */
/* define them here, you can uncomment and modify these lines as needed.     */
/* If you are using CCS for building, it is probably better to make any such */
/* modifications in your CCS project and leave this file alone.              */
/*                                                                           */
/* --heap_size=0                                                             */
/* --stack_size=256                                                          */
/* --library=rtsv7M4_T_le_eabi.lib                                           */

/* Section allocation in memory */

SECTIONS
{
    .intvecs:   > APP_BASE
    .text   :   > FLASH
    .const  :   > FLASH
    .cinit  :   > FLASH
    .pinit  :   > FLASH
    .init_array : > FLASH
    *		:   > FLASH

    .vtable :   > RAM_BASE
    .data   :   > SRAM
    .bss    :   > SRAM
    .sysmem :   > SRAM
    .stack  :   > SRAM
}

__STACK_TOP = __stack + 512;

是否有可能没有闪存引导加载程序并直接运行应用程序？ 如果我理解正确、在我的例子中、ROM 引导加载程序直接从0x0运行应用程序。 如果 我需要使用闪存引导加载程序从 USB 进行更新、 我需要修改.cmd 文件。  

是的、 我已修改 bl_config.h 以支持 UART 和 USB。 我的概念是使用外部 WiFi 芯片通过 UART 刷写 Tiva 芯片、同时仍有可用于外部刷写的 USB。  

切斯特、您好！

这是从参考设计中得出的。  

您好、Charles、  

我改变了  

闪存(RX)：origin = APP_BASE，length = 0x00100000

更改为  

闪存(RX)：origin = app_BASE，length = 0x000fc000

使用  

#define APP_BASE 0x00004000

我当前收到此错误

"configPkg/linker.cmd"、第141行：警告#10096-D：指定的地址位于内存映射之外
错误#10264：默认存储器范围与现有存储器范围闪存重叠
错误#10264：默认存储器范围与现有存储器范围 SRAM 重叠
错误#10264：默认存储器范围与现有存储器范围 SDRAM 重叠
错误#10010：链接期间遇到错误；未构建"DLPNIRSCAN.OUT"

我应该去哪里？

您好、Suzanne、

[引用 userid="174606" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1035585/tm4c1297nczad-recover-bootloader/3829667 #3829667]\n 是否可以不使用闪存引导加载程序并直接运行应用程序？ 如果我理解正确、在我的例子中、ROM 引导加载程序直接从0x0运行应用程序。

可以在0x0处没有闪存引导加载程序。 您可以让应用程序从0x0开始。 大多数客户应用程序没有引导加载程序。 您可以通过 CCS、LM 闪存编程器或 Uniflash 通过 JTAG 加载应用。 几乎所有 TivaWare 示例都不需要引导加载程序。 只需查看 blinky.bin 示例。 如何加载和运行闪烁程序？ 您的应用没有不同。 您还可以通过 UART 使用基于 ROM 的引导加载程序来加载应用程序。 ROM 引导加载程序仅在闪存为空(处于擦除状态)时从 UART 端口引导加载。 ROM 引导加载程序查看闪存存储器中包含栈指针和复位矢量的前两个字。 如果这两个字是非 FFFFFFFF、那么它会认为0x0有应用程序、并将运行应用程序。 如果两个字为0xFFFFFFFF、ROM 引导加载程序将在 UART0、SSI0、I2C2、CAN、USB 和以太网之间搜索端口以加载固件。

您的标题从如何恢复引导加载程序开始、这让我认为您使用的是基于闪存的引导加载程序。

您好、Charles、  

我改变了  

闪存(RX)：origin = APP_BASE，length = 0x00100000

更改为  

闪存(RX)：origin = app_BASE，length = 0x000fc000

使用  

#define APP_BASE 0x00004000

我当前收到此错误

"configPkg/linker.cmd"、第141行：警告#10096-D：指定的地址位于内存映射之外
错误#10264：默认存储器范围与现有存储器范围闪存重叠
错误#10264：默认存储器范围与现有存储器范围 SRAM 重叠
错误#10264：默认存储器范围与现有存储器范围 SDRAM 重叠
错误#10010：链接期间遇到错误；未构建"DLPNIRSCAN.OUT"

我应该去哪里？