您好！
我在 MSP432E410Y 休眠模式下遇到问题：
如果移除 VDD 电源、微控制器应以电流进入休眠模式
数据表中所述、VBAT 的功耗约为1.6uA。
我遵循了参考手册第6.3.12章中列出的说明：
CLK32EN 和 RTCEN 设为1、因此我希望微控制器在 VDD 时进入休眠模式
电源被移除、并在再次施加电源时保留。 但是、我看到的是、如果我移除 VDD
微控制器显示 VBAT 的电流消耗约为100uA、而不是1.6。 从这里、我假设该器件不处于休眠状态、是吗？
另一个奇怪的事实是、在这种情况下、在 HIB 引脚上测量的电压为1V、而不是 VBAT 或0。
如果我使用 HIBCTL 寄存器中的 HIBREQ 位对休眠进行三次采样、就不会发生这种情况。
我出了什么问题？
谢谢
您好 Federico、
首先、是否确定要设置以下位：
在用户指南中、它显示了多种不同的电路拓扑。 您的配置如何？ 您是否有可共享的原理图或图？
您还能共享您的代码来配置休眠模式吗？
尊敬的 Dennis：
我尝试了这些位的每个组合、结果相同。
下面是我实际使用的代码和我的配置草案。
//Enable rtc peripheral
HWREG(HIB_CTL) |= HIB_CTL_CLK32EN;
while((HWREG(HIB_CTL)&0x80000000) == 0);
/* Enable the RTC. */
HWREG(HIB_CTL) |= HIB_CTL_RTCEN;
while((HWREG(HIB_CTL)&0x80000000) == 0);
//write seconds to rtc peripheral
HWREG(HIB_LOCK) = HIB_UNLOCK_CODE;
while((HWREG(HIB_CTL)&0x80000000) == 0);
HWREG(HIB_RTCLD) = Var_CurrTime;
while((HWREG(HIB_CTL)&0x80000000) == 0);
HWREG(HIB_LOCK) = HIB_LOCK_CODE;
while((HWREG(HIB_CTL)&0x80000000) == 0);
