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[参考译文] TM4C1294NCPDT:MOSC 单端25MHz 振荡器规范

Guru**** 2611705 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1294NCPDT

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/985617/tm4c1294ncpdt-mosc-single-ended-25-mhz-oscillator-specification

器件型号:TM4C1294NCPDT

您好!

我们希望 在新设计中使用 TM4C1294NCPDT、该设计利用处理器内部以太网 PHY。 为了方便起见 、我们计划通过具有3V3 CMOS 输出的外部时钟振荡器为处理器主振荡器(MOSC)提供源。 现在、查看数据表中的表27-51 "MOSC 单端25MHz 振荡器规范"、 通常 可以通过外部时钟振荡器轻松满足所有这些要求、但最大上升和下降时间为1ns 除外。 这个要求对我来说似乎非常严格、因为这个星球上几乎没有时钟振荡器能够满足这个要求。 某些器件可能会实现低至2.5ns @ 15pF 负载的上升和下降时间-但仅此而已。 我很清楚、由于 OSC0输入的走线和焊盘电容可能远低于15pF、振荡器输出实际上可能更快。

 我们过去经常使用的振荡器 是 MC3225Z25.0000C19XSH -但在 TM4C129的设计中不使用:

https://global.kyocera.com/prdct/electro/product/pdf/clock_mcz_xz_e.pdf

总之 、如果 我们能就此主题获得一些反馈、我将不胜感激。

谢谢、此致、

Sebastian

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    抱歉、这看起来是数据表中的错误。 该参数应在"min"列中。 该输入的最大压摆率为3.6V/ns。 这是为了避免意外激活 ESD 保护结构。 当它们将压摆率转换为上升时间时、它们无法将其从最大规格移至最小规格。

    真正的最长上升时间是多少? 它由40%至60%占空比给出。 从35% Vdd 到65% Vdd (反之亦然)的转换应在不到10%的周期或4ns 内发生。  

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    尊敬的 Bob:

    感谢您的快速响应。 你的解释对我来说是很合理的。

     这一最大压摆率要求是否可在数据表的其他位置找到、或者是否适用于振荡器电路以外的 IO? 老实说、我不知道存在这样的要求。 由于时钟振荡器制造商通常仅提供有关最大值的信息 上升和下降时间在其数据表中、很难预测振荡器电路在实际电路中是否会更快并违反压摆率限制。 此外 、通过执行测量来验证实际压摆率有点困难、因为 需要一个带宽非常高的示波器和没有过多负载电路的探头。

    您是否曾遇到过这种压摆率限制方面的客户问题、或者这是一种理论限值、在实际电路中通常从未超过该限值?

    非常感谢您的参与。

    此致、

    Sebastian

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    另一个具有最大压摆率限制的引脚是 VBAT。 这是0.7V/us、在勘误文档中为 ELEC #02。 即使只用作输入、GPIO 引脚上的输出晶体管也倾向于保护这些引脚。 我从未在 TM4C129x 器件上看到过问题、但有报告称其他器件采用相同技术、但未在振荡器输入引脚上。 3V/ns 是非常快的压摆率。 我怀疑您会找到一个压摆率如此之快的晶体振荡器。

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    再次感谢快速响应。 这很有帮助。