您好!
我们希望 在新设计中使用 TM4C1294NCPDT、该设计利用处理器内部以太网 PHY。 为了方便起见 、我们计划通过具有3V3 CMOS 输出的外部时钟振荡器为处理器主振荡器(MOSC)提供源。 现在、查看数据表中的表27-51 "MOSC 单端25MHz 振荡器规范"、 通常 可以通过外部时钟振荡器轻松满足所有这些要求、但最大上升和下降时间为1ns 除外。 这个要求对我来说似乎非常严格、因为这个星球上几乎没有时钟振荡器能够满足这个要求。 某些器件可能会实现低至2.5ns @ 15pF 负载的上升和下降时间-但仅此而已。 我很清楚、由于 OSC0输入的走线和焊盘电容可能远低于15pF、振荡器输出实际上可能更快。
我们过去经常使用的振荡器 是 MC3225Z25.0000C19XSH -但在 TM4C129的设计中不使用:
https://global.kyocera.com/prdct/electro/product/pdf/clock_mcz_xz_e.pdf
总之 、如果 我们能就此主题获得一些反馈、我将不胜感激。
谢谢、此致、
Sebastian