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专家您好!
我们正在 通过 EMFI 接口连接 EPSON 显示控制器(S1D13513F01A100)、我们已使用 NCS2芯片选择 viz asynchrounus 连接显示控制器。 在数据表中、给出了对于异步、内存可高达16MB、而在 TI 的一篇文章中、通过使用 GIO、内存大小可增加>16MB。 请让我详细了解如何利用 GIO 来增加可连接到 TMS 的存储器。
谢谢、
此致、
Vikas H
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专家您好!
我们正在 通过 EMFI 接口连接 EPSON 显示控制器(S1D13513F01A100)、我们已使用 NCS2芯片选择 viz asynchrounus 连接显示控制器。 在数据表中、给出了对于异步、内存可高达16MB、而在 TI 的一篇文章中、通过使用 GIO、内存大小可增加>16MB。 请让我详细了解如何利用 GIO 来增加可连接到 TMS 的存储器。
谢谢、
此致、
Vikas H
尊敬的 Charles:
感谢您的回答、
我对此还有一些疑问、
1) 因为我们将 TMS570LC4357连接 到 EPSON 显示控制 器(S1D13513F01A100)。 请告诉我 TMS 的字节使能(nDQM[1:0])是否可用于连接到显示控制器的读取使能(NRD)。
2) Epson 显示控制 器(S1D13513F01A100)没有任何嵌入式存储器、因此我使用的是外部128MB SDRAM (与显示控制器相连)。 因为 TMS 的 EMIF 异步存储器存在限制。 将显示控制器连接为异步器件时是否存在问题?
只对这些疑问进行澄清、
谢谢、此致、
Vikas H
大家好、Vikas、
我不熟悉 S1D13513F01A100控制器。 尝试执行一些 Google 搜索、我甚至找不到它的完整数据表。 您有数据表吗?
您是否还能显示如何连接 到 S1D13513F01A100和 SDRAM 的原理图? MCU 是否仅通过 EMIF 接口连接到显示控制器? MCU 是否直接连接到 SDRAM? 我假设 SDRAM 通过单独的接口连接到 S1D13513F01A100、原理图将会澄清。
nDQM 通常用作活动字节使能。 为什么不将 EMIF_NOE 用于显示控制器的 NRD? 下面是异步接口的示例时序图。