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[参考译文] TMS570LS1224:使用 F021 API 对闪存进行编程而不是先擦除闪存?

Guru**** 2210470 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LS1224
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/899318/tms570ls1224-programming-flash-using-f021-api-without-erasing-it-first

器件型号:TMS570LS1224

大家好!

我已经讨论了在没有先擦除闪存扇区的情况下对闪存扇区进行编程的可能性!

我从以下来源发现了相当矛盾的信息:

1.此主题:  . 同一个线程提到只有编程闪存不会损坏它。

2.此主题:  . 有人提到、如果应用程序只使用程序函数、那么擦除函数将不会包含在最终的.out 文件中。

SPNA117A:  . 在第4/11页、文档提到使用闪存 API 函数对闪存进行编程需要几个步骤、其中一个步骤是擦除目标闪存。

那么、擦除闪存是否是编程闪存之前的必要步骤?

为了给我的问题提供一些背景信息:如果我想对 TMS570LS1224闪存组0中的一个扇区进行编程、我是否需要在对该扇区进行编程之前首先擦除该扇区?

提前感谢您!

米哈伊尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Mihail、

    闪存程序操作只能将位从1更改为0。 擦除操作将扇区或组中的所有位设置为1。 使用新擦除的扇区、可以对任何位置进行编程。 然而、一旦一个位被设定为0、只有通过擦除整个扇区、它才能被改回1。

    我的答案是、在将任何数据编程到该扇区之前、必须擦除该扇区。