除上电复位外、SRAM 内容是否会被复位损坏?
我们希望确保在复位后 SRAM 的内容不会被更改、因为我们希望在复位之前使用这些信息。
具体而言、我担心如果在写入 SRAM 时发生复位、内容将会损坏。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
除上电复位外、SRAM 内容是否会被复位损坏?
我们希望确保在复位后 SRAM 的内容不会被更改、因为我们希望在复位之前使用这些信息。
具体而言、我担心如果在写入 SRAM 时发生复位、内容将会损坏。
您好!
我们不明确说明/保证 SRAM 的内容可以在复位周期后保留。 在复位周期后、应将 SRAM 内容视为可疑的损坏、并采取步骤验证内容。 您不能假设器件将确保内容被保留、即使它在工作台上看起来是如此。
热复位可能是由各种复位事件引起的、例如 OSC 故障、看门狗复位、软件复位和外部复位。 软件复位可由 CPU 控制、但其他复位则不能控制。
当在对 SRAM 执行写操作的过程中发生复位时、可能会导致 SRAM 内容损坏、因为可能不符合 SRAM 的时序协议。
如果您想保存状态、以便稍后可以选择...
考虑 Cypress 提供的小型 FRAM。 它们是8引脚封装、您可以使用 SPI 进行读取和写入。 写入16个字节是在 SPI 上输出17个字节的简单问题、然后再次设置/CS。 类似的读数。 无需等待东西或任何东西-非常快。 您可以使用 SPI 在数百秒的时间内向器件写入一个状态、而不会出现任何问题-铁电柱塞不会磨损。
例如 CY15B004。 (希望 TI 拥有外部 FRAM 器件。)