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器件型号：TM4C123BH6ZRB 你(们)好
我的客户希望知道器件复位时的 GPIO 阻抗(在高阻抗下)模式。 原因是 IO 用于控制 FET 的栅极、 工程师希望在器件复位时栅极电压可能低于400mV 至500mV。 我查看了数据表、它没有此类信息。 请帮帮我。
此致
Yihe
你(们)好
我的客户希望知道器件复位时的 GPIO 阻抗(在高阻抗下)模式。 原因是 IO 用于控制 FET 的栅极、 工程师希望在器件复位时栅极电压可能低于400mV 至500mV。 我查看了数据表、它没有此类信息。 请帮帮我。
此致
Yihe
您好、Yihe、
数据表通常不显示数字逻辑的输出阻抗、因为电压/电流行为是非线性的。 阻抗将取决于负载。 但是，您可以根据 Vol.来计算它 如果驱动的负载灌入8mA、则阻抗将为0.4V/8mA = 50 Ω。 请注意、这是 IO 驱动负载时的阻抗。 您的问题与 IO 处于输入(Hi-Z)状态的复位期间的阻抗有关。 我不知道值。 我预计它将非常高、 在兆欧姆范围内。
