工具/软件：Code Composer Studio
您好！
我们将使用 Code Composer Studio 在 TMS570LC4357上加载应用代码、以调试代码。 但是当进入调试器模式时、我们看到一些闪存位置未被正确擦除、即擦除的闪存位置显示所有随机数据、如下所示：
我们假设 TMS570LC4357默认启用 ECC、但不确定如何禁用或 Code Composer Studio 中所需的任何配置。 我们有一个要求来计算加载应用程序的 CRC、该应用程序预期具有未使用的闪存位置、但由于闪存中的随机数据、CRC 总是会失败。
我们还使用 F021闪存库通过应用程序对闪存进行擦除和编程、但发现上述行为与菜单一样。
如果在使用 Code Composer Studio 时缺少任何配置、并且在使用 F021库时需要调用函数来正确擦除闪存、那么请使用 L约。
您好 Srihari、
这是由错误的 ECC 值导致的。 当闪存被擦除时、它的 ECC 空间也被擦除至0xFFFFFFFF、这对于空白闪存是不正确的。
请使用链接器生成 ECC：
您好、Wang、
感谢你的答复。 我们已经浏览了 wiki 链接并使用了所需的
ECC｛
algoL2R5F021：address_mask = 0xfffffff8 //地址位31：3 */
汉明_mask = R4 /*使用掩码中的 R4/R5构建*/
奇偶校验掩码= 0x0c //设置哪些 ECC 位是偶校验和奇校验*/
镜像= F021 //* RM57Lx 和 TMS570LCx 在 F021中编译
｝
存储器
｛
/* ROM */
引导程序(X)：origin=0x00200020 length=0x00000020 vfill = 0xffffffff
Flash_API (RX)：origin=0x00200040 length=0x000014C0
FLASH1 (RX)：origin=0x00200040+0x000014C0 length=0x00200000 - 0x40 vfill = 0xffffffff
EEPROM (RW)：origin=0xF0200000 length=0x00020000
/* RAM */
堆栈(RW)：origin=0x08000000 length=0x00001C00
RAM (RW)：origin=0x08001C00 length=0x00040000
RAM_API (RW)：origin=0x08041C00 length=0x00008000
SHAREDRAM (RW)：origin=0x08049C00 length=0x00001000
EXTRAM (RW)：origin=0x64000000 length=0x100000
/*组0 ECC */
ECC_VEC (R)：origin=(0xf0400000 +(start (vectors)>> 3))
length=(size (vectors)>> 3)
ecc=｛algoL2R5F021、input_range=vectors｝
/*组1 ECC */
ECC_FLA1 (R)：origin=(0xf0400000 +(开始(FLASH1)>> 3))
length=(size (FLASH1)>> 3)
ecc=｛algoL2R5F021、input_range=FLASH1｝
/*组7 ECC */
ECC_FLA7 (R)：origin=0xF0100000
length=(size (EEPROM)>> 3)
ecc=｛algoL2R5F021、input_range=eeprom｝
｝
但是、当尝试对编译进行编程时、我们会遇到如下所示的错误：
我们还在进行编程之前在闪存设置中禁用了自动 ECC 生成
如果需要任何犁沟配置、请告知我们。
