工具/软件：Code Composer Studio
我们已决定为您的项目使用 TMS570LS3137-EP 微控制器、为此我们已订购 Hercules TMS570LS31x/21x 开发套件(TMDS570LS31HDK)。 为此、我已经安装了 CSS 10.1.1、但在 CSS 中的 TI Resource Explorer 中找不到 TMDS570LS31HDK 板？ 您能给我们提供一些适用于此控制器和开发板的示例代码和库吗？ HALCoGen 也无法正常工作。
您好、Rahul、
TI Resource Explorer 没有 TMS570LS3137器件的示例。 有关此器件的示例、请参见 HalcogGen。
请参阅下面的内容。
步骤1：
单击帮助->帮助主题
步骤2：
展开示例。 单击任何示例以了解有关如何创建示例的说明。
如果要查看所有库、只需在左侧窗格中选择"Modules"。
[引用 user="Rahul ">请参阅随附的屏幕截图。我查看了 Windows 10和 HALCoGen 04.07.01、当 Windows 10 Display 的"缩放和布局"设置为100%时、图形显示正确：
而 当 Windows 10显示"比例和布局"设置为125%时、图形显示不正确：
在过去 10年中、当 Windows 的"缩放和布局"设置为100%时、HALCoGen 仅正确显示图形的限制似乎是一个未决问题。
您好、Rahul、
大多数外设引脚可配置为 GPIO 引脚。 我将演示如何将 MibSPI1 SOMI[1]用作 GPIO 引脚。 请参阅下面的内容。 在这里、我将 MibSPI1 SOMI[1]配置为输出引脚、其初始状态设置为高电平。 完成 HalcogGen 配置后，只需转到“文件”->“生成代码”即可生成项目代码。 您为应用程序选择的所有驱动程序将根据您的配置设置自动生成。 请按照任何示例创建项目。
在应用中、如果您要动态更改 MibSPI SOMI[1]引脚的状态、则只需使用驱动程序 API、如下所示：
mibspiInit()；
gioInit()；
gioSetBit (mibspiPORT1、PIN_SOMI_1、1)；//将 SOMI[1]设置为高电平。 PIN_SOMI_1对应于 SPIPC3寄存器的位25
您好！
根据数据表、有144个引脚可改用作 GPIO。
关于 PCB 设计文档、我建议您参考 HDK 用户指南及其原理图。
您是否有机会了解 HalcogGen RTI (实时中断)示例？ 如果不是、请按如下所示浏览此示例。 正如我在第一次答复中提到的、如果您转到"帮助"->"帮助主题"->"示例"、您将找到所有可用的示例。 如果您转至 Help -> Help topics -> Modules、您将找到所有 API 文档。 在本示例中、计时器周期为1以使 LED 闪烁。 您将为您的应用修改100ms 的周期。 用于启动计时器的 API 将是 rtiStartCounter()。 要动态设置计时器周期，可以调用 rtiSetPeriod()。
我们没有专门针对 AT24C256的示例。 我们可能无法提供市场上无限数量 I2C 器件的示例。 HalcogGen 中有五个 I2C 示例。 我建议您仔细查看这些内容。 example_i2c_pcf8570连接到可能最靠近您的器件的外部 RAM 器件。 其他示例也很有用。 硬件方面、需要在 MCU 和外部 I2C 器件之间连接 SDA 和 SCL 引脚。 确保每条总线上都有一个脉冲上升电阻器(例如10k)。 您有责任阅读 AT24C256数据表、了解其工作原理。
您在哪里可以找到15位地址。 I2C 协议通常为7位。 您是否阅读 了 AT24C256数据表？ 下面是数据表屏幕截图。 显然、器件地址是7位、即10100A1A0。
I2C 协议始终首先发送 MSB。 这不是 TMSLS3137特定的。 它是一种协议。
数据表告诉您如何访问 EEPROM。 您只需要阅读它。 如果要写入位置0x1000、则 首先发送0x10作为第一个数据字节、然后发送0x00作为第二个数据字节。 第一个和第二个数据字节组成 EEPROM 字地址。 第三个数据字节将是要写入位置0x1000的数据值。
我实际上在度假、直到下周。 我将在下周之前不能回复。 对于新问题、您实际上需要提交一个新帖子、因为将有人回答您的新问题。
器件寻址
128K/256K EEPROM 在一个起始条件之后需要一个8位器件地址字来使能芯片的读写操作(见第11页的图7)。 如图所示、器件地址字由前五个最高有效位的强制1、零序列组成。 这对于所有两线制 EEPROM 器件都是通用的。
128K/256K 使用两个器件地址位 A1、A0来允许同一总线上多达四个器件。 这些位必须与其相应的硬接线输入引脚进行比较。 A1和 A0引脚使用内部专有电路、如果允许引脚悬空、则将其偏置为逻辑低电平状态。
器件地址的第八位是读/写操作选择位。 如果该位为高电平、则启动读取操作；如果该位为低电平、则启动写入操作。
比较器件地址后、EEPROM 将输出0。 如果未进行比较、器件将返回待机状态。
数据安全：AT24C128/256具有硬件数据保护方案、当 WP 引脚处于 VCC 时、该方案允许用户对整个存储器进行写保护。
写入操作
字节写入：写入操作需要在器件地址字和确认之后有两个8位数据字地址。 接收到该地址后、EEPROM 将再次以零进行响应、然后在前8位数据字中计时。 接收到8位数据字后、EEPROM 将输出0。 微控制器等寻址器件必须在停止条件下终止写入序列。 此时、EEPROM 进入一个内部定时写入周期、即 TWR、到非易失性存储器。 在这个写入周期内、所有输入被禁用、并且 EEPROM 在写入完成前不会做出响应(见第11页的图8)。
页写入：128K/256K EEPROM 能够进行64字节页写入。
页写入的启动方式与字节写入的启动方式相同、但在第一个数据字计时后、微控制器不发送停止条件。 相反、在 EEPROM 确认接收到第一个数据字后、微控制器最多可以再发送63个数据字。 在接收到每个数据字后、EEPROM 将以零进行响应。 微控制器必须在停止条件下终止页写序列(见第12页的图9)。
数据字地址低6位在接收到每个数据字后在内部递增。 较高的数据字地址位不会递增、从而保留了存储器页行的位置。 当内部生成的字地址到达页边界时、将在同一页的开头放置以下字节。 如果向 EEPROM 发送了64个以上的数据字，则数据字地址将“回滚”，并且之前的数据将被覆盖。 写入期间的地址“翻转”是从当前页的最后一个字节到同一页的第一个字节。
