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您好!
TMS570LC4357版本 B 与低功耗静态 RAM 和 FPGA 相集成
连接:不使用 EMIF_BA、地址线(A1-A19)、数据(D0-D15)
详细信息:Code Composer Studio v10.1.0
EMIF 设置如下:选通模式开启、MAX_EXT_WAIT=5、EMIF clk- 75MHz、ASINC2被使用。
W_setup = 3、W_STROBE = 15、W_HOLD = 7
R_setup=3、R_STROBE = 15、R_HOLD = 7、TA=3、已启用扩展等待。
代码示例:1. EMIF 写入值为0x0的位置。
2、EMIF 写入值为0x4000的上述同一位置
3、EMIF 从同一位置读取-读取无法获得值0x4000、而是读取0x0 (随机)。
4.在循环中重复上述所有步骤。
它碰巧在示波器中查看 EMIF 信号、
对于单个 EMIF 写入、芯片使能为有效 thrice。 行为是否正确? 它是否会影响性能?
2.为什么 EMIF 读取随机无法获得准确的值?
您好!
1.不,这是不正常的。
2.是否将 EMIF_A[19:1]连接到 FPGA_A[18:0]? 为什么不使用 EMIF_A[0]? 在您的设置中、EMIF 地址0x0000用于访问 FPGA 中的第一个半字、而 EMIF 地址 0x0001用于访问 FPGA 中的第四个半字。
您好、Wang、
关于问题1、我已通过以下链接中的帖子。 我不知道问题是否与我发布的问题类似。
e2e.ti.com/support/microcontrollers/hercules/f/312/t/518177
请建议我这样做。
谢谢你
我是否可以让您的测试用例在您的帖子中生成波形?
您好、Wang、
随附的是测试项目、供您参考。
更多观察结果:如果我将地址声明为无符号整型的指针、则3个 EMIF_CE 脉冲保持不变。 但是、EMIF_WE 现在有2个脉冲。 此外、EMIF 读取成功读取预期值。
您好、Wang、
如果您有任何更新、请共享相同的更新。
谢谢你
您好!
我无法提出这个问题。
您好、Wang、
您能否澄清额外的 EMIF_NCE 脉冲? 是否在 TMS570LC4357的修订版 B 中解决了该问题?
您好!
revA 器件有一个硬件错误、此错误在异步 EMIF 模式中生成额外的 WE 或 OE 脉冲。 但 nCS 没有错误、nCS 适用于所有修订版本。
您好、Wang、
是否有任何关于如何解决单次写入问题的3 nCS 脉冲的建议?
您好!
您是否处于 EMIF 选择选通模式?
EMIF 异步接口可在正常模式或选择选通模式下运行。 在正常模式下、nCS 将在整个 EMIF 事务中处于活动状态。 在选择选通模式下、NCS 仅在选通时间期间激活。 这是两种模式之间的基本区别。
在正常模式下、如前所述、NCS 在整个 EMIF 总线事务中处于活动状态。 例如、如果写入 EMIF 地址、则 NCS 在整个总线事务中处于活动状态、而 Nwe 在 NCS 处于活动状态时具有两个或三个脉冲。 这是修订版 A 器件中的错误。 但是、在选择选通模式下、NCS 仅在选通阶段有效、这意味着 NCS 实际上与 Nwe 同相激活。 当我们在正常模式下看到额外的 Nwe 脉冲时、我们还会在选择选通模式下看到额外的 nCS。
此错误已在 RevB 器件中修复。 在写入事务期间、额外的 Nwe 脉冲已被移除。 但是、除了消除额外的 W我们 脉冲之外、缩短有源 NCS 的额外持续时间还存在一些技术难题。 当切换至选择选通模式时、这些额外的 NCS 持续时间将保持为两个额外的 NCS 脉冲。 但是、当这些额外的 NCS 脉冲处于活动状态时、Nwe 和 NOE 不活动。 因此、从存储器访问支架点来看、这应该是可以的。 对存储器的所有写入和读取应使用有效的 Nwe 和 NOE 进行限定。
对于读取、我们不仅能够去除额外的 NOE 脉冲、还能够缩短 nCS、从而提高 EMIF 性能/带宽。 因此、在读取期间、在正常模式或选择选通模式中都没有看到额外的 NCS 脉冲。