Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH
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器件型号:TM4C129ENCPDT 主题中讨论的其他器件:UNIFLASH
我使用的是 TM4C129 Launchpad 电路板、我想知道是否有任何示例代码可用于校准数据等
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Other Parts Discussed in Thread: UNIFLASH
我使用的是 TM4C129 Launchpad 电路板、我想知道是否有任何示例代码可用于校准数据等
尊敬的 Andy:
外设驱动程序库用户指南中有一个小示例。 下面是代码片段。
uint32_t ui32EEPROMInit;
uint32_t pui32Data[2];
uint32_t pui32Rad[2];
//
启用 EEPROM 模块。
//
SysCtlPeripheralEnable (SYSCTL_Periph_EEPROM0);
//
等待 EEPROM 模块准备就绪。
//
while (!SysCtlPeripheralReady (SYSCTL_Periph_EEPROM0))
}{
//
//等待 EEPROM 初始化完成
//
ui32EEPROMInit = EEPROMInit();
//
//检查 EEPROM 初始化是否返回错误
//并通知应用
//
if (ui32EEPROMInit!= EEPROM_INIT_OK)
{
while (1)
{
}
//
//将一些数据编程到地址0x400的 EEPROM 中。
//
pui32Data[0]= 0x12345678;
pui32Data[1]= 0x56789abc;
EEPROMProgram (pui32Data、0x400、sizeof (pui32Data));
//
//读回它。
//
EEPROMRead (pui32Read、0x400、sizeof (pui32Read));
尊敬的 Andy:
不可以、即使理论上是可行的、也没有此类工具可用。 用户可以开发一个工具、通过 JTAG 接口、甚至通过使用引导加载程序的其他串行接口来下载程序(例如、与我在上次答复中显示的程序类似的程序)。 然后、程序将初始值编程到 EEPROM 中。 也就是说、Uniflash 或 LM 闪存编程器确实具有将2个用户字编程到非易失性存储器的某种功能。 但是、2个用户字只能一次性编程。 除非您执行"解锁器件"、该器件将对包括主闪存和 EEPROM 在内的整个器件执行批量擦除、否则无法更改它们。