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[参考译文] TMS570LC4357:异步 RAM 的 EMIF 问题

Guru**** 2476375 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/960848/tms570lc4357-issue-with-emif-for-an-asynchronous-ram

器件型号:TMS570LC4357

 

我们遇到的问题似乎与 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/hercules/f/312/t/518177有关

 

修订版 B 中此问题的勘误表中没有条目。您是否计划更新有关此问题的勘误表?

 

我们观察到、访问异步存储器器件(连接到 CS2)的 CS 持续时间过长(请参阅下面的屏幕截图)。 外部总线以30MHz 的频率运行、并且所有访问阶段都配置为0、我们预计这将导致访问需要三个外部时钟。

是否有可能缩短 CS 持续时间、或者我们是否在配置中漏掉了一些内容? 没有用于 NVRAM 访问的外部等待信号。

 

此外、当我们在地址0x6000 0000写入16位–0x1234时、我们使用调试器读取已写入64位(4x16位)。 我附加 了一个读取访问的屏幕截图。 F

 

抓图- EMIF 配置:

抓图-在地址0x6000 0000转储

 

 

抓图-对 NVRAM 的写入访问:

抓图-读访问 NVRAM:

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    您好、Mathieu、

    我将与我们的文档所有者讨论如何更新勘误表。 但我们没有计划缩短延长的 CS 持续时间。

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    王先生,

    请告诉我文档所有者计划何时发布新勘误表。

    此致

    Mathieu

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    您好、Mathieu、

    我将告诉您我们是否计划更新勘误表。

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    还可以! 对于产品认证、我们需要让 CS 发布勘误表条目。

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    我知道。 谢谢