[参考译文] CCS/TMS570LS0714：F021库、用于 TMS570LS0714

感谢您的回应、Sunil。

首先、我意识到我在原始响应中的错误代码中放置了一个拼写错误。  从闪存写入 API 调用接收到的 FAPI 状态为代码48十进制、应为0x0030十六进制。

在参考手册的第5.7.21节"闪存模块状态寄存器(FMSTAT)"中、指示位5 (0x20)为 INVDAT、位4 (0x10)为 Cstat。

我对这种混乱表示歉意。

在每次闪存操作之前、我们从 os_portmacro.h 中调用 HalCoGen FreeRTOS 函数 portdisable_interrupts ()

我想重申的是、此代码在 TMS570LS1224上已经完美运行了多年、在 TMS570LS0714上只有问题。  与1224相比、714如何处理此类闪存命令是否存在差异？

我等待您的答复。

提前感谢、
Joe Shidle

感谢您的澄清、Joe。

INVDAT 标志指示应用程序尝试将"1"编程为已经为"0"的位。 闪存存储器单元在已编程状态下为"0"、在已擦除状态下为"1"。 因此、该标志意味着应用程序尝试对未擦除的位置进行编程。 您能否在您的应用程序中检查这是否可行？

至于 LS1224和 LS0714器件之间的差异、它们与主闪存阵列的闪存模块控制器相同。 您的应用显然必须考虑闪存和 CPU SRAM 大小的差异。 除此之外、您还可以参阅 QJ 创建并提供的引导加载程序示例： https://git.ti.com/cgit/hercules_examples/hercules_examples/tree/Bootloaders/SafetyMCU_Bootloaders

此致、Sunil

Sunil；

感谢您的回答。

如果您提到之前与 QJ 的主题对话、我相信您的所有问题都已得到解答：

1) 1)我显示了代码、其中我已执行擦除检查、验证了扇区已完全擦除、错误仍然存在。

2) 2)我有-根据 QJ 的建议、在第一次擦除检查/写入之前放置一个额外的擦除扇区、并且错误仍然存在。

3) 3)更重要的是、我们在1224上运行的相同闪存代码已经运行了几年、没有错误、现在在0714上运行时出现错误。

4) 4)更重要的是、通过 CCS 片上调试器单步执行代码、代码在0714上运行。

因此、除非我们缺少任何内容、否则所编写的代码似乎不会出现问题。

我们当前正在尝试写入闪存组0 (如上一个线程中的代码所示)、因此我不认为这是0714与1224上闪存大小的问题、 尽管我们已经确保在 sys_link.cmd 文件中定义正确的闪存长度。

在1224上运行的代码(成功运行多年、无错误)和在0714上运行的代码(自由运行时出错、通过 CCS 调试器单步执行代码时无错误)的主要区别在于、基础 HalCoGen 代码明显不同。  我们通过 HalCoGen 为0714创建了一个新项目、然后移植了我们1224项目中的应用代码、包括闪存代码。

我不知道这是否相关。

如果您有任何进一步的帮助或见解、我们将不胜感激。

提前感谢、

Joe Shidle

Joe、您好！

当您单步执行例程时、它工作正常这一事实表明它是一个计时问题。 对闪存进行编程时、您尝试使用的目标频率是多少？ 在将时钟配置为此目标频率之前、您是否配置了正确数量的随机读取等待(RWAIT)状态？

此致、Sunil  

您好，Sunil；

感谢您的回答。

在工作1224和非工作0714的两种情况下、我们都使用 HalCoGen 来设置闪存子系统、并且不会偏离开箱即用的 HalCoGen 默认值。

对于工作1224和非工作714、RWAIT 设置为3。  include 和 system.h 中的代码相同

#define TCMFLASH_FRDCNTL_CONFIGVALUE (0x000000000000U |(UINT32)((UINT32) 3U << 8U)|(UINT32)((UINT32) 1U << 4U)| 1U) 

对于工作1224和非工作0714、GHVSRC 寄存器在 INCLUE/system.h 中设置相同

#define SYS_GHVSRC_CONFIGVALUE ((UINT32)((UINT32) SYS_OSC << 24U)\
|(UINT32)((UINT32) SYS_OSC << 16U)\
|(UINT32)((UINT32) SYS_PLL1 <<0U)

对于工作中的1224和非工作中的0714、在 INCLUE/system.h 中将 HCLK 设置为160MHz

#define HCLK_FREQ 160.000F 

这绝对不是我们用人工的方式所做的事情。

我还认为时序可能是一个问题、并且在代码行之间以几秒的顺序设置了人为的大等待状态(空闲 NOOP)、以模拟代码步进、但在自动运行代码(即不使用调试器)时、0714代码仍然失败。

如果您需要有关我们的 HalCoGen 设置的更多详细信息、请告诉我。

提前感谢您的建议、

Joe Shidle

Joe、您好！

您能否在即将执行 Fapi_issueProgrammingCommand 函数调用之前捕获 PLL 控制寄存器、闪存 RDCNTL 寄存器和 GHVSRC 寄存器值？

系统中的主振荡器是16MHz 吗？

此致、Sunil

感谢您的回应、Sunil。  我对迟迟不作出答复表示歉意。

主振荡器实际上是16MHz。

我通过调试器测试了我们的板、并打印出了值、以便它可以自然运行。  两个结果是相同的。

Joe、

此时、我需要一个测试代码、我可以在我的设置上执行该代码以查看问题。 我可以尝试运行我自己的代码(基于引导加载程序示例)来擦除代码并将其编程到闪存中、但希望遵循您使用的顺序。

Joe、

您可以尝试的另一件事是用 对 memcpy ()的调用替换_copyAPI 2RAM_()、如以下主题中所述：  

请注意、目前还没有解释这种方法的原因。。。

谢谢 Joe。 我现在要关闭这个线程。