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[参考译文] TMS570LC4357:VIM RAM 中的错误注入

Guru**** 2478985 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/916517/tms570lc4357-errors-injection-in-vim-ram

器件型号:TMS570LC4357

您好!

以下步骤由我的软件完成以在 VIM RAM 中生成一个单位错误(SBE):

  1. 读取 VIM RAM 中的数据(地址0xFFF82090)
  2. 禁用 ECC 管理(ECCENA=0x5、ECCCTL =0x050A05)
  3. 然后翻转读取的数据的位0、将其写回 VIM RAM 中
  4. 启用 ECC (ECCENA=0xA、ECCCTL = 0x050A0A)
  5. 读取 VIM 数据以生成单位错误(SBE)

观察到 SBE = 1 (正常)、但 UERR = 1 (ECCSTAT = 0x00000101)并且软件本地变量被重置。

您能解释一下为什么在这种情况下也设置了 UERR、以及局部变量为何被损坏吗?

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    地狱阿达玛

    为了测试 VIM RAM 中的 ECC 检查机制、ECC 位允许手动插入故障。 此选项通过使用 ECCCTL 寄存器控制位中的 TEST_DIAG_EN 位来实现。 启用 TEST_DIAG_EN 后、ECC 位映射到0xFFF82400。 在此模式下、用户可以修改 ECC 位而不更改数据位。 您能否尝试翻转 ECC 位而不是翻转数据位?

    翻转一个数据位可能会影响2个或更多 ECC 位。