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[参考译文] TMS570LS1224:内部闪存(包括 EEPROM 仿真)不是基于内部闪存还是基于 NAND?

Guru**** 2559620 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/915213/tms570ls1224-is-the-internal-flash-including-the-eeprom-emulation-nor-based-or-nand-based

器件型号:TMS570LS1224

您好、E2E TI 社区、

与下列论坛问题有关:

我有以下问题:

1) 1) 1) TMS570LS12x 系列中的内部闪存是基于 NOR 还是基于 NAND?

2) 2)仿真的 EEPROM NOR 还是基于 NAND?

3) 3)在哪里可以找到有关此 MCU 中闪存类型的文档形式的其他信息?



我尝试在该 MCU 的文档中进行搜索、但我找不到任何信息!

感谢您提前回答!

此致、

米哈伊尔

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    您好、 Mihail、

    它也不是非易失性存储器的类型。 您必须使用 TI 闪存 API 库来擦除片上闪存并对其进行编程。  它不支持任何类型的行业标准接口。

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    感谢您的回复!

    为了清除它、您说过的非易失性存储器不是基于 NOR 的-也适用于 EEPROM 仿真、对吧?

    此致、

    米哈伊尔

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    您好、Mihail、

    我说过它不是非易失性存储器类型: 单元格与位行并行连接、从而允许单独读取和编程单元格。  

    NAND 类型的闪存与 CMOS 与非门串联。

    数据闪存(EEPROM、组7)和程序闪存(组0和组1)使用相同的结构。  

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    感谢您的回复!

    这将解决我在此主题中的所有问题。

    此致、

    米哈伊尔