主题中讨论的其他器件:TMS570LC4357、 HALCOGEN
我想问一个与此主题相关的问题、该主题以 Gael 开头: https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/hercules/f/312/t/591548?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=tms570%2525252525252520activate%2525252525252520static%2525252525252520ram%2525252525252520ecc
Gael 问的是有关具有 Cortex-R5F ARM 内核的 TMS570LC4357的问题、 Chuck Devenport 在他的回答(已解决)中表示、这个新内核在处理上一代 Hercules MCU 时有某种不同、在这种情况下、由于报告错误检测的延迟、上下文可能会丢失。
很抱歉、我最初的回答没有说明 TMS570LC43x 与我们早期的 Hercules 器件之间的架构差异。 在这个特定器件中、RAM 和闪存驻留在 L2总线上、这会在它们被访问时引起一些延迟、从而导致报告不可纠正的错误条件时出现延迟。 由于这种延迟、我们依靠 R5F 内的事件总线机制来标记不可纠正的错误并通过 EPC 将其发出。 这一点的回退是、我们松开了不可纠正的错误的上下文、该错误是在闪存还是 RAM 中、并且能够锁存发生错误的地址。 简而言之、我们无法识别 SRAM 或闪存中是否存在不可纠正的错误。
我的问题是"以前的 Hercules MCU"是否包含 TMS570LS3137 MCU (Cortex-R4F 内核)、因为在我的情况下、每次上电 RAM ECC 发生时、对源的跟踪总是在变化、因此无法知道导致 ESM 组3 RAM ECC 错误的指令。
谢谢!