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[参考译文] TM4C1290NCPDT：闪存首次编程

admin
Guru**** 2611295 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/767240/tm4c1290ncpdt-flash-first-time-programming

器件型号：TM4C1290NCPDT

我需要在电路板制造(定制电路板)期间对 MCU 内部闪存执行首次编程。

我对通过 USB DFU 接口更新 ROM TivaWare 引导加载程序感兴趣。

在全新的 MCU 中、ROM 引导加载程序是否在 POR 上执行？ (根据我的理解、如果闪存字0x4包含一个擦除字0xffffffff、就会发生这种情况)

谢谢、

Luca Borghese

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    TI__Guru**** 2611295 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Luca、

    是对于新的 MCU、闪存将为空、并将调用 ROM 引导加载程序。

    请注意、ROM 引导加载程序将检查是否存在以太网连接、这可能会触发勘误项 ETH#03、因此请确保您具有原理图中包含的解决方法： www.ti.com/.../spmz850g.pdf
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    TI__Guru**** 2611295 points
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    感谢 Ralph 的快速响应。

    当然、对于不包含以太网接口的系列 tm4c1290微控制器、此勘误表(ETH#03)不适用、是吗？

    此致、

    卢卡
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    TI__Guru**** 2611295 points
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    您好、Luca、

    正确！ 我没有注意到您的器件型号是非以太网器件。
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    TI__Guru**** 2611295 points
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    您好 Ralph、

    感谢您的支持。

    此致、

    Luca Borghese