[参考译文] MCU EMI

尊敬的 Bob：

自定义 PCB 的工作电压高达24V 直流、但 ADC 仅在高 EMI 通道上运行时需要大于400us 的稳定时间才能获得真正的结果。 总线电压 ADC 采样>82vdc 保持不变，并成功实现>25us 的 PWM 触发转换器趋稳。 但使用 GPTM 在 EMI 通道上触发 ADC 采样需要大于400us 的趋稳时间、这是怎么可能没有问题的？ 某种情况会导致 ADC 到转换器的行为错误并同时停止 USB 数据传输。

然而、三个 PWM 发生器持续发展、好像它不是人体的业务。 但是、GPTM 边沿计数会同时成为问题、PWM 将完美地运行电机。 另一个 GPTM 120MHz 时钟单次触发从那些没有单一故障的@25us EMF 样本中创建 FOC 换向代码。 如果 EMI 影响一个 GPTM、它应该对所有 GMTM 产生同等影响、对吧？

EVM 通道与 ADC 输入之间的导线距离为6英寸。 定制 PCB 具有铁氧体磁珠、并且在 EMI 通道中添加了1兆欧级串联电阻器、可减少瞬变、而不会阻止这些瞬变。 通过 EVM 上的钳位通道肖特基+3V3没有产生任何影响、从而使瞬态峰值降低至大于4V。 MOV 可能会比1ns 钳位3V3 TVS 更好？ OnSemi 支持人员说、他们的 ESD 3V3 TVS 不会钳位在5V 以下、我们需要他们不再制造的 TVS 齐纳二极管。 TI 如何制造低于+5V 的快速3V3 TVS 钳位？

Bob

您是否注意到 PDF 1999的出版日期已有20年？ 请注意、定制 PCB 具有类似的网格化配电和 DGND 岛、这些岛在 TPS73533 LDO 之前通过 SMT 20m Ω 铁氧体磁体与 AGND 平面分离、从而将输入与输出接地平面分离。 几个连接的 DGND 填充覆铜(顶部/底部)放置在 MCU 的两侧/相对侧分配功率、+3V3并不特别类似于网格中的多点。

我可以对原理图和 TI 的 PCB 箔纸 PDF 进行 PM 设计、以检查哪些因素可能会帮助 TM4C1294外设更好地运行。 TI 如何期望任何人都相信 Tiva TM4C1294 MCU 拥有20年历史的 EMI 文档？ 当它产生时、似乎纳米 CMOS 裸片是虚构的。 如果这不是真正的 Stellaris LM3S 系列、它本可以超过50MHz 时钟速率。

是的、我注意到该文档已有20年历史。 降低 EMI 的基本原理没有改变(我从事此工作已有38年了)。 我们不进行原理图或布局审查。

您好、Bob、

[引用 user="Bob Crosby">您可以考虑在 EVM 和电路板之间的电缆上使用双绞线。 [/报价]

您 已经误解 了 EVM 驱动逆变器已经有6英寸双绞线、工作时不 会出现高达165vdc 的问题。 它是 MCU 安装在直 流逆变器本地的定制 PCB、 可解决 >24V 直流电源问题。

当然、可以采取一些措施来减少 ADC/USB 对 PWM SNR 的入侵并一 步纠正几个问题？

[引用 user="Bob Crosby"]我们不进行原理图或布局审阅

然后、TI 应提供   EVM 用于实现  TM4C1294设计指南中未发布的层的确切布局指南。 如果 这确实是 EMI 影响 MCU 但不影响 EVM 的方式、 则 PCB 层图应  公开发布 、其他 RDK 提供的 TIDA 光绘层 图也应公开发布。

相当确定上次访问 EVM 页面时、2015年没有 Gerber。 今天从 EVM 中移除 MCU、焊盘下方必须是实心铜的第二层、焊料不愿意通过多种加热方法流动。 VDD 似乎是一个问题、因为它拉低了3V3 LDO、就像短路一样、最终通过硬质合金轮切断了 PCB 上的 MCU。 在 MCU 周围电路板过热之前、测得的 VDD 为185欧姆。 移除后、清理了所有测得的0.4欧姆的引脚 shinny 和 VDD 至 GND、引脚之间没有焊料短路。

在加热引脚395*C 的过程中、MCU 下方的层似乎将 VDD 与 GND 短接20分钟。 用铁348*C 添加到所有引脚上的回流焊将开始流动，在铁头到达另一端之前固化 尝试了该方法的侧面到侧面切屑角塑料提升点。 移除单个 MCU 大约需要1.5小时。 在 MCU 底部下方使用 AGND 箔的定制 PCB 使用热气工具150*C 预热拆卸不到10分钟，然后从角落小心地斜升335*C。

移除故障 MCU 之前的1.5小时是即使在第二层也不会有铜箔封装的好理由。 Mumetal 或铜屏蔽底部 MCU 塑料外壳对于阻止 EMI 将更加有效。 由于 PWM 和其他信号走线通常直接在 MCU 塑料外壳下运行、因此值得为 MCU 额外支出。 镍铁0.025英寸厚的金属木乃构成令人惊叹的 EMI 块。 可能会在下一个更换更高105*C MCU 版本的 MCU 下测试一个部件。

如果 在4层 PCB 中产生 EMI 屏蔽、铜粘性胶带可能是成本较低的替代方案：

https://www.ebay.com/itm/20mmA-30m-Coppper-Foil-EMI-Shielding-Self-Adhesive-Low-Impedance-Conductive-Tape/162587836006?_trkparms=aid%3D111001%26algo%3DREC.SEED%26ao%3D1%26asc%3D20160908105057%26meid%3D599682d3b05f4608adc1cf265be141d1%26pid%3D100675%26rk%3D1%26rkt%3D15%26sd%3D162587836006%26itm%3D162587836006&_trksid=p2481888.c100675.m4236&_trkparms=pageci%3Af826470a-20dd-11e9-b420-74dbd18083e9%7Cparentrq%3A86a73bef1680ab4dc4a4bf91fffc765b%7Ciid%3A1 

[引用 user="Bob Crosby"]您可以考虑在 EVM 和电路板之间的电缆上使用双绞线[/引用]

这是一种旧的画面、并认为它是采用 双绞线的较新版本。 正确的方法是、PWM 和 EMF 导线是双绞线、 EMF 导线的 EVM 侧 GND 未连接。

BTW EVM Booster 接头都是微小的天线、它们都粘在空气中。 因此、很难 理解 它们如何避免影响定制 PCB 的相同 EMI。  我的直觉是 MCU 与高压源的接近是目前面临的更大问题。