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主题中讨论的其他器件：TM4C1294NCPDT、 TIDM-TM4C129XSDRAMART 编号：TM4C1294NCPDT
工具/软件：Code Composer Studio
您好！
我将 TM4C1294微控制器用于物联网应用。 我一直面临着 RAM 使用方面的一些问题、并计划使用外部 RAM 来获得更多可用 RAM。
我一直在阅读下面的示例 ti.com/tool/TIDM-TM4C129XSDRAM 、它似乎非常直接地满足了硬件要求、但我仍然对使用外部 RAM 进行固件开发有一些疑问。
我的问题更多地涉及链接器以及如何使用外部和内部 RAM 处理我的代码。 在前面的示例中、作者使用以下行来确保他正在访问外部 RAM：
G_pu16EPISdram =(uint16_t *) 0x60000000；
他的链接器也是默认值、因此我假设在代码上分配变量时、此类变量永远不会使用外部 RAM、对吧？
#define APP_BASE 0x00000000
#define RAM_BASE 0x20000000
//系统存储器映射*/
存储
器｛
/*存储在内部闪存中并从内部闪存执行的应用程序*/
闪存(RX)：origin = APP_BASE，length = 0x00100000
/*应用程序使用内部 RAM 进行数据*/
SRAM (rwx)：origin = 0x20000000，length = 0x00040000
}//
内存
中的段分配*/ SECTIONS
{
.intvecs：> app_base
.text：> FLASH
.const：> FLASH
.cinit：>闪存
.pinit：> FLASH
init_array：> FLASH
.vtable：> RAM_base
.data :> SRAM
.bss：> SRAM
.sysmem：> SRAM
.stack：> SRAM
}
__stack_top =__stack + 256；
那么、我的问题是：是否可以将外部和内部 RAM 用作一个线性存储器组？ 我能否像使用内部 RAM 一样进行编程？ 需要对该示例进行哪些修改才能执行此操作？
我打算将其与 TI-RTOS 结合使用、这会改变答案还是仍然一样？
