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[参考译文] TMS570LC4357:刷写代码后重启 Launchpad 时、无法访问 L2 RAM 位置

Guru**** 2609895 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/762389/tms570lc4357-unable-to-access-l2-ram-locations-when-we-power-cycle-the-launchpad-after-flashing-the-code

器件型号:TMS570LC4357

您好!

我们使用的是 Launchpad XL2-570LC43 (TMS570LC4357)、当我们使用板载仿真器在控制器中加载代码时、我们能够按预期进行调试、并能够从0x80000开始访问 RAM 位置。 但是、如果我们终止调试会话、断开 USB 电缆并将其重新连接(这会为 Launchpad 供电)、这意味着重新启动电源、使用仿真器连接目标而不加载代码、我们无法通过内存浏览器访问 RAM 位置(错误如下所示) 或通过汇编代码强制将某些数据写入 RAM 位置。

"CortexR5:在长度0x4的第0页上的0x800000c 写入内存块时遇到问题:(错误-1065 @ 0x0)无法访问器件内存。 验证内存地址是否在有效内存中。 如果错误仍然存在、请确认配置、对电路板进行下电上电和/或尝试更可靠的 JTAG 设置(例如、较低的 TCLK)。 (仿真包8.0.27.9)"

我只能在下电上电后加载.out 文件后访问 RAM 位置、如果我们执行下电上电并连接目标、我将无法访问这些位置。

LaunchPad 中是否存在类似这样的任何限制。 我是说我们无法在下电上电后自由执行代码。

请告诉我这个问题的原因是什么。 此外、请告诉我禁用 L2闪存和 L2 RAM ECC 的方法、因为我们可以通过系统控制寄存器禁用 TCM ECC。

此致、

Satya Sudhir

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Satya、

    在下电上电后、可在将任何数据加载到闪存之前访问 SRAM。 存储器映射在 GEL 文件中定义。

    默认情况下、闪存和 SRAM 的 ECC 启用、不能禁用。