[参考译文] TMS570LS0432：TMS570 ECC 检测检查

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/774876/tms570ls0432-tms570-ecc-detection-check

您好、TI 团队、

我知道与 ECC 相关的论坛上有很多主题、但遗憾的是、我无法找到我的一些问题的答案、希望您能提供帮助。

在 OUT 应用程序内、我们希望在发生单个位错误时定期检查是否触发了 RAM 和闪存的 SECDED。

没有中断、没有地址检索(当前)、只需检查、是单个位翻转还是自上次检查以来没有。

在这里、我想根据 TRM、应用手册和 HalCoGen 等的代码、提供我的想法

首先、如果我想检查是否触发了 ECC 1位错误、我执行以下 TCRAM1/2配置：

ECC_DETK_EN = 0xA

RAMOCCUR = 0

RAMTHRESHOLD = 1.

RAMINTCTRL.SERR_EN = 1.

问题1：上述配置是否完整定义并正确监控 BTCM 的 SECDED 触发(1位)？

我通过以下方式进行监控(寄存器名称有点不同、但可识别、我想；代码仅用于 TCRAM1、因为使用了 TCRAM2其他寄存器并使用了其他 ESM 通道)：

/*检查在最后一个帧期间 SECDED 是否在 TCRAM1 (B0TCM)内触发*/
if ((TcRam1Regs_G.RAMERRSTATUS.bit.lSERR EQU (uint32_t) 1U)或
(((uint32_t)((EsmRegs_G.lESMSR1 >>(uint32_t) shift_26_bits_C)和(uint32_t) 1U) EQU (uint32_t) 1U)
)｛

/*在 B0TCM 的最后一个帧期间触发 SECDED */
(笑声)

/*清除 RAMOCUUR 以计算后续单位错误校正的数量*/
TcRam1Regs_G.RAMOCCUR.bit.lSEO =(uint32_t) 0U；

/*清除 SERR 标志*/
TcRam1Regs_G.RAMERRSTATUS.bit.lSERR =(uint32_t) 1U；

/*清除 ESM 组1通道26标志*/
EsmRegs_G.lESMSR1 ||(uint32_t)((uint32_t) 1U <<(uint32_t) shift_26_bits_C)；
｝ 

问题2：请确认 ECC (1位错误事件)可与上述代码一同查询、并且处理正确。

问题3：我是否也认为在上述代码的下一次调用中，我们能够捕获新的1位错误(如果确实出现：)？

问题4：我需要读取错误地址以捕获下一个错误事件还是执行其他一些处理？

现在、让我们继续闪存检查。 这里更复杂、因为我感觉 TRM 中存在一些拼写错误。

首先、为了监控1位错误、我已经按照如下方式配置包装程序：

FEDACCTRL1.EDACEN = 0xA

FEDACCTRL1.EOFEN = 1.

FEDACCTRL1.EZFEN = 1

FEDACCTRL1.EDACMODE = 0xA

问题5：请确认上面定义的配置是否完整且正确、是否可用于1位错误监控(检查是否发生了事件、是否发生了1次或100万次、无关紧要)？

现在、这里是事件发生检查代码本身：

IF (((FlashRegs_G.FEDASTATUS.bit.lERR_zero_FLG EQU (uint32_t) 1U)或
(FlashRegs_G.FEDASTATUS.bit.lERR_One_FLG EQU (uint32_t) 1U)或
(FlashRegs_G.FEDASTATUS.bit.lB2_COR_ERR EQU (uint32_t) 1U)或
(((uint32_t)((EsmRegs_G.lESMSR1 >>(uint32_t) shift_6_bits_C)和(uint32_t) 1U) EQU (uint32_t) 1U)
)｛
/*在 ATCM 的最后一个帧期间触发 SECDED *
(笑声)

/*清除单位错误标志*/
FlashRegs_G.FEDASTATUS.bit.lERR_zero_FLG =(uint32_t) 1U；
FlashRegs_G.FEDASTATUS.bit.lERR_One_FLG =(uint32_t) 1U；
FlashRegs_G.FEDASTATUS.bit.lB2_COR_ERR =(uint32_t) 1U；

/*清除 ESM 组1通道6标志*/
EsmRegs_G.lESMSR1 =(uint32_t) 1U << shift_6_bits_C；
｝ 

问题6：请确认上面的代码足以检查是否发生了1位错误事件？

问题7：我是否也正确、在上述代码的下一次调用中、我们能够捕获新的1位错误发生？

问题8：我需要读取错误地址以捕获下一个错误事件还是执行其他一些处理？

问题9：对于我来说、TRM 并不完全清楚为什么 ERR_One_FLG 的描述仅适用于 Bus2。

我认为对于诸如"whera 1 readas a 0"之类的 Bus1事件也适用、不适用？

ERR_zero_FLG 根据 TRM 适用于总线1和总线2。 这两个寄存器的真相是什么？

问题10：我是否需要检查 B2_COR_ERR 或检查是否超出范围？ 总线2上发生 ECC 错误的其他指示器(ESM 除外)是什么？

问题11：如果由于总线1数据错误而设置了 ERR_Oe_FLG 和/或 ERR_ZERO _FLG、是否会触发 B2_COR_ERR？

我知道有很多问题、但我认为这些信息不仅对我有用、因为我看到有很多关于 ECC 的问题。

提前非常感谢！