您好,
此查询包含引导加载程序和 F021_API_CortexR4_be_V3D16.lib 的用法 ,如何 在 RAM 中动态加载 F021_API_CortexR4_be_V3D16.lib,并且在加电序列期间不执行。
擦除闪存 组1的扇区15至27时没有错误。
引导加载程序位于闪存 组0的扇区0和扇区7处、
在擦除扇区8-15期间,闪存 组0中的这些扇区中没有源代码。 当擦除 组0的扇区时--系统复位发生在以下 FAPI 指令上。
STATUS=Fapi_setActiveFlashBank (((Fapi_FlashBankType) 0);
我已将 TMS570LS3137设置为安全模式(启用所有安全功能),并执行所有安全库启动代码。
此外、如果必须将闪存 API 复制到 RAM 并为组0执行擦除和写入操作、请告诉我。
此外,请帮助我处理源代码如何 在运行时将闪存 API 库加载到 RAM 中(.test,.const),因为如果我们在最初时将闪存 API 库加载到 RAM 中,SRAM 测试将失败,如.cmd 文件中所示。
我想在 SRAM 测试完成后的运行时执行以下复制过程。
load = flash_API、run = SRAM、load_start (api_load)、run_start (api_run)、size (api_size)
在擦除闪存 组0的扇区8至15时、是否应该注意任何勘误表
下图显示了复位发生前闪存包装程序的寄存器