[参考译文] RM48L940：闪存 ECC 测试

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/804974/rm48l940-flash-ecc-test

我的1位 ECC 闪存测试似乎通过了、但使用 sl_SelfTest_Flash (flash_ecc_test_mode_2BIT、0、failInfoFlash)失败了2Bit ECC 测试。 在下面的代码段中、条件(位(ESM_G3ERR_FMC_Uncorr)==(sl_esmREG->SR1[2]和位(ESM_G3ERR_FMC_Uncorr))评估为 false、并且我确认 ESM SR1[2]未设置。

当行 flashread =*(volatile UINT32 *) flashBadECC2；被执行时、ESR SR3的位7被置位。 一旦我执行 flashread =*(volatile UINT32 *) flashBadECC2、ESM SR3[7]就会被置位；

为什么要检查 ESM SR1[2]而不是 ESM SR3[7]？ 我认为 SR1用于组1错误、但2Bit 错误将触发组3错误。 是否有人能解释正在进行什么以及我需要检查什么才能通过测试？

sl_flashWREG->FDIAGCTRL |= F021F_FDIAGCTRL_DIAG_TRIG；

/*SAFETYMCUSW 58 S MR:14.3. 注释_16*/
flashread =*(volatile UINT32 *) flashBadECC2；

#if defined (_TMS570LS31x_)|| Defined (_TMS570LS12x_)|| Defined (_TMS570LS07x_)|| Defined (_TMS570LS09x_)|| Defined (_RM48x_)| Defined (_RM44x_)||
if (((flash_ecc_test_mode_2BIT_FAULT_Inject！= testType)&&(flash_address_ecc_fault_inject！= testType))
#endif
definef #if defined (_TMS570LC43x_)|| defined (_RM57Lx_)
if (flash_ecc_test_mode_2BIT =testType)
#endif
｛
#if defined (_TMS570LS31x_)|| Defined (_TMS570LS12x_)|| Defined (_TMS570LS07x_)|| Defined (_TMS570LS09x_)|| Defined (_RM48x_)|| Defined (_RM46x_)|| Defined (_RM44x_)|| Defined (_RM42x_)| TMS570LS04x_(_RM42x_)|
/*SAFETYMCUSW 134 S MR：12.2 备注_5*/
/*SAFETYMCUSW 134 S MR：12.2 备注_5*/
/*SAFETYMCUSW 408 S MR:12.4. 注释_12*/
/*SAFETYMCUSW 96 S MR：6.2、10.1、10.2、12.1、12.6 备注_25*/
if (((F021F_FEDACSTATUS_B1_UNC_ERR =(uint32)(sl_flashWREG->FEDACSTATUS & F021FEDACSTATUS_B1_UNC_ERR)))
&&(sl_flashWREG->FUNCHERRADD =>(uint32) 0x8u)
&&(位(ESM_G3ERR_FMC_Uncorr)==(sl_esmREG->SR1[2]和位(ESM_G3ERR_FMC_Uncorr)))) 
               SL_flashWREG->FEDACSTATUS = F021F_FEDACSTATUS_B1_UNC_ERR； 
               sl_esmREG->SR1[2]=位(ESM_G3ERR_FMC_Uncorr)；