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器件型号：TM4C1290NCPDT 大家好、
我的客户正在使用 TM4C1290NCPDT、需要大约~3-4 KB 的常规数据存储。 这些块分为~10个块、每个块300-400字节、并将在产品的整个生命周期内重写~5k 次。 他们对有关 TM4C1290NCPDT 的 EEPROM 与闪存写入特性有一些疑问。
对于 EEPROM、您如何设计系统以避免出现"复制到复制缓冲区、复制缓冲区需要擦除"的情况、因为它们具有不可接受的最大写入时间。 您能否更深入地了解这种方法的工作原理？ 调用第8个写入后、是否始终需要擦除？ 重启电源后、该计数器是否复位？
对于闪存、主要问题在数据表中、其中说明"当闪存组中执行闪存存储器操作写入、页擦除或整体擦除时、禁止访问特定组对。" 应用程序已经占用了大于300k 的只读存储器，并且希望避免停止应用程序的常规周期性进程。
似乎我们已经在使用全部4个闪存组中的某一部分来存储应用。 除了将指令移入 SRAM 以保持应用程序运行之外、还有其他替代方法可以分割一个不会影响应用程序执行的小型(3k - 4K)闪存块吗？
最后、有一个关于闪存扇区的很好的描述、但他们对时序特性中描述的闪存页的构成感到困惑。
您能否澄清他们的问题、并告知您如何以最佳方式解决 EEPROM 或闪存的问题？
谢谢、
Matt
