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器件型号：TM4C1290NCZAD 您好！
我正在尝试 将新晶体与 TM4C1290NCZAD 配合使用、并想征求 您对新器件的意见。
晶振是 TM4C1290NCZAD 休眠模块的32.768 KHz 晶振选择。
根据 TM4C1290NCZAD 数据表中的晶振规格、C1和 C2的计算值约为13pF。 由于 C1和 C2的值均<18pF，因此 OSCDRV 应设置为‘0’，而晶体所需的最大 ESR 应为50kOhm (对于 OSCDRV=0)。 我是对的吗？ 我 的 ESR 晶体规格为70kOhm。
晶体的最大输出驱动电平可高达0.5uW、高于 TM4C1290NCZAD 数据表的0.25uW 要求。
3.数据表提到 C1和 C2的计算基于以下公式：CL =(C1 *C2 )/(C1+C2)+ CPKG + CPCB。 公式中似乎没有包含晶体分流电容 C0。 是这样吗？
在上述条件下、TM4C1290NCZAD 休眠模块的性能有何风险？
表1. 晶体规格
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标称频率 |
32.768KHz |
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频率容差 |
+20ppm |
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分流电容 C0 |
1.5pF |
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动态电容 C1 |
6.7f |
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驱动电平 DL |
0.5uW (最大值为0 |
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负载电容 |
9pF |
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ESR |
70千欧姆
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