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器件型号：TMS570LS3137 你(们)好。
在由 nPORRST 驱动的 MCU 上电复位之后的 PBIT 期间、我需要执行 nERROR 引脚完整性测试。 该引脚信号由某些逻辑锁存、以生成一个到 nRST 的低脉冲、从而对 MCU 进行热复位。 我需要在下一次通过 ESMEPSR 上电时知道 nERROR 引脚状态(现在应该是低电平)、以便不重新执行同样的测试。
SYSESR[3] 位 EXTRST 中保存的 nRST 状态不足以供我使用、因为我有另一个也连接到 nRST 的看门狗测试。
为此、我想了解更多信息、以便选择以下方法之一：
方法1)将0x5写入 ESMEKR 寄存器、以便在低电平时间计数器 LTC 中定义的时间内、在 nERROR 引脚上生成低电平脉冲、在50MHz VCLK 下最大为1.3ms (请注意、复位锁存逻辑将生成一个25µs μ s 的复位脉冲以对 MCU 进行热复位)。
方法2)将0xA 写入 ESMEKR 寄存器、以便让 nERROR 低电平信号无限期保持开启、在下一个 nRST 上、检查 ESMEPSR=0x0、然后手动将 ESMEKR 内容复位回0x5、再复位0x0、并继续执行其他任务。
现在有问题：
1)对于方法1、我担心 MCU 需要多长时间才能返回到 nERROR 测试例程、这是 MCU 复位斜升时间与 nERROR 测试例程指令数之和。 如果此延迟长于1.3ms、则此方法不好。 TMS570LS3137在开始执行用户代码之前的 MCU 复位上升时间是多少？
2) 2)所述方法2是可行的解决方案吗？ 询问这一点是因为 TRM 中的示例根本不使用0xA 值。
谢谢！
