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[参考译文] TM4C1294KCPDT:3V3耐压 GPIO

Guru**** 2046970 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/768751/tm4c1294kcpdt-3v3-tolerant-gpio

器件型号:TM4C1294KCPDT

您好!

根据  设计指南配置 GPIO 电阻分压器以下 VBUS 值 使 输入 高 电平逻辑电平小于 VDD*0.65 ( 对于5V 信号)。 分压器中心点的实际电压 约为1.90v、具有强大的5V 峰值驱动信号。 QEI 使用 PL1、2、3配置 WPU、与 STD 配置引脚没有区别。 电位计规则建议 输入 端(+4.975V)为6.8k 系列10k 接地、 GPIO 引脚( +2.4875v)的预期逻辑高电平值。  为什么 PL 输入 的电压比电位计规则 预测的低得多? 是否有更好的方法来配置输入、或者 传感器输出信号 是否为具有10k 上拉电阻的 OD、并以未记录的方式影响 GPIO?  

 什么是更好的分压器值、因为电位计规则值 还会为 方波输入信号 PHA、PHB、Index 产生不正确的逻辑电压?

设计指南:  5.6KΩ Ω+/- 5%与10kΩ Ω+/- 5%电阻器串联、应作为连接器上 VBUS 与接地之间的分压器进行连接。 该电路将 GPIO 引脚上的5V VBUS 值降至3.2V。

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    欧姆定律是可行的。 也许目前存在一条没有考虑到的道路。 您能否更清楚地描述您要测量的电路? 原理图中。 我在遵循上述文本描述时遇到问题。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    由于过帐已运行 Tina 分析、表明 GPIO 端口的电压确实应接近2.487v。 从那时起、已发现10k 至 GND 将输入分压器(5.7k)上弱电流驱动(PHA/B)信号的电压下拉至2.9V、因此 GPIO 端口上发生了1.9v。 电机中的 QEI 驱动器提供23mA @+5Vdc 电源。

    经测试、即使连接器数据表显示+5V、电机中的 QEI 传感器仍可以使用+3V3生成 PHA/B 信号。 似乎不需要分压器、但100欧姆串联电阻器、小型去耦电容器不会受损。