[参考译文] TMS570LS3137：SRAM ECC 中止-权限故障

您好！

您能否从 RAMCTRL 读回 ECC_WR_EN 位( 只能在专用模式下写入 RAMCTRL)。

您好！

是的、我已经在     代码中将 RAMCTRL 设置为0x0005010AU (ECC_WR_EN 已启用)、并验证了这些值是否已在 CCS 寄存器窗口中更新。 因此、我假设已为 RAM ECC 位置启用了写入访问权限。 但是、我不知道为什么 CPU 被中止。

我的应用程序正在系统模式下运行、我认为系统模式是特权模式之一。 如果我错了、请纠正我的问题。

请检查您是否已为两组 BxTCM RAMCTRL 寄存器设置 ECC_WR_EN。

您好、Sunil、

是的、  两组都启用了 ECC_WR_EN。 请在下面找到 RAM 寄存器和数据故障状态寄存器的屏幕截图、

RAM 寄存器：

DFSR：

MPU 呢？ 您要写入的 RAM ECC 存储器位置是否位于允许您写入的 MPU 区域内？

您还可以使用调试器查看 MPU 配置。 这些配置寄存器是分组寄存器、因此它们仅反映所选区域编号的配置。 您需要手动循环查看可用的区域数量、以查看它们各自的配置。

您可以下载此 GEL 文件：  

它包含易于使用的 GEL 命令、用于读取 MPU 配置。 请注意、这适用于基于 TMS570LC43x 和 RM57x Cortex-R5F 的器件。 您可以更改指示 GEL 文件中可用 MPU 区数量的变量、并使用它来读取 TMS570LS3137上的 MPU 配置。

您好！

我尝试加载 GEL 文件并运行它。 我收到以下错误消息、

我是否必须定义 CP15_MPU_REGION 位数、 CP15_MPU_REGASE_SIZE_ENABLE、 CP15_MPU_REGION _BASE_ADDRESS 和 CP15_MPU_REGION 位访问？

我没有处理 GEL 文件的经验。 请指导我。

您好！

我尝试加载 GEL 文件并运行它。 我收到以下错误消息、

我是否必须定义 CP15_MPU_REGION 位数、 CP15_MPU_REGASE_SIZE_ENABLE、 CP15_MPU_REGION _BASE_ADDRESS 和 CP15_MPU_REGION 位访问？

我没有处理 GEL 文件的经验。 请指导我。

为了查询 MPU 配置寄存器、CPU 确实需要处于特权模式("用户"模式以外的任何模式)。

此外、您只需设置所用器件上支持的 MPU 区的正确数量。 在 TMS570LS3137上、支持12个 MPU 区域。

此致、Sunil

是的、我将 R5F_MAX_MPU_REGions 设置为12。

我在 系统模式下运行热菜单 R5F_MPU_SETTINGS。 但我仍然会得到相同的误差。

GEL 文件中未声明以下变量、这些变量的定义来自哪里？ 这可能是一个愚蠢的问题、但正如我说过的、我对 GEL 文件及其执行方式不了解、

CP15_MPU_REGASE_SIZE_ENABLE

CP15_MPU_REGASE_BASE_ADDRESS

CP15_MPU_REGION _ACCESS

您好、Sunil、

请澄清上述.gel 文件的查询吗？

您好、Sunil、

TMS570LS3137 GEL 文件已加载。 即使这样、我也会得到误差。 我在这里缺少什么吗？

您好、Sunil、

我暂停了程序执行并运行了 GEL 脚本。 现在、它正在工作。

我已经检查了 RAM ECC 区域的 MPU 配置。 它配置为用户读取和用户写入访问。 但是、当我尝试翻转 RAM ECC 中的一个位时、CPU 会被中止。

DFSR 值为0x80D -写入访问权限导致中止。

请问原因是什么？

尊敬的 Laxmikanth：

您需要上载整个代码序列、包括启用写入 ECC RAM、实际写入 ECC RAM、然后从受影响的 RAM 位置读取。

您好、Sunil、

请在下面查找我的代码，

volatile uint64 ramread = 0U；

/*启用对 ECC RAM 的写入、启用 ECC 错误响应*/
tcram1REG->RAMCTRL = 0x0005010AU；
tcram2REG->RAMCTRL = 0x0005010AU；


/*在两个组中强制出现单个位错误*/
_coreDisableRamEcc_()；
tcramA1bitError ^= 1U；
tcramB1bitError ^= 1U；
_coreEnableRamEcc_()；

/*读取损坏的数据以生成单个位错误*/
ramread = tcramA1bit；
ramread = tcramB1bit；

/*禁用对 ECC RAM 的写入*/
tcram1REG->RAMCTRL = 0x0005000AU；
tcram2REG->RAMCTRL = 0x0005000AU；

下面是我配置 RAM 错误阈值并启用 RAM ECC 的启动代码

//初始化内存
内存初始值(0x1U)；

//在设置 RAMTHRESHOLD 寄存器之前清除 RAMOCUUR
tcram1REG->RAMOCCUR = 0U；
tcram2REG->RAMOCCUR = 0U；


//将单位错误阈值计数设置为1
tcram1REG->RAMTHRESHOLD = 0x05U；
tcram2REG->RAMTHRESHOLD = 0x05U；

//启用单个位错误生成
tcram1REG->RAMINTCTRL = 0x01U；
tcram2REG->RAMINTCTRL = 0x01U；

//启用 SRAM ECC
_coreEnableRamEcc_()；

Laxmikanth、

您是否有可按原样运行的完整 CCS 代码项目？ 我看不到您在写入 ECC RAM 位置时发现的问题。 当 CPU 写入 RAM 接口模块控制寄存器时、它是否处于特权模式？

尊敬的 Laxmikanth：

您是否对此问题有更新？

您好、Sunil、

我们将更新 MPU 配置。 我下周将在验证后再次与您进行合作。

您好、Sunil、

感谢您的参与！

我们更新了 MPU 配置并为 RAM ECC 区域提供了特权读取和写入访问。 现在、SRAM ECC 检查正在工作。

我在这里有疑问、我们已经为 RAM ECC 完成了 MPU 配置、以注入 SRAM ECC 错误并验证故障反应。 但是、是否建议在生产软件中为 RAM ECC 区域启用特权访问？  

您好、Sunil、

我不问访问 RAM 控制寄存器。

我想了解在生产软件中为 RAM-ECC 位置授予特权模式访问权限的影响。

谢谢！

我是本主题的初学者。 请耐心回答这些愚蠢的问题。

在 MPU 配置中、我们定义了特权模式下对 RAM-ECC 位置的读写访问。

如果我的理解是正确的、则不应在特权模式下为 RAM-ECC 位置定义读取访问。 建议仅进行写入访问。 请改正我的问题。

好的。 明白了！

感谢 Sunil 的支持！