[参考译文] VBAT 漏极

Arturas、您好！

您询问的是所需的功能、但实际上这是您的设计团队要评估的问题、不是吗？ 我们提供的功能当然是有用的、但如果您正在寻求的行为是您需要进行的评估。 从您的描述中、我可以说、它确实符合您的需求。

您可能需要阅读数据表中有关 使用/HIB 进行电源控制的第7.3.8节、以完全了解该设置。

3V 纽扣电池的功耗是器件在27.23节电流消耗中的规格。 查找 IHIB_NORTC。

感谢您快速重播 Ralph、

您能解释一下顺序是什么(我们需要在休眠模块中配置什么？) 以在 Vdd 被移除时进入休眠模式？

Arturas、您好！

阅读您的初始帖子并查看休眠模块、有一些关键信息可供您了解。

在对器件进行编程之前、休眠模式未激活。 这是您需要通过刷写在器件上配置的内容。 因此、没有任何程序的空白器件将无法进入休眠模式。

对器件进行编程时、您可以通过多种方式对其进行配置。 对于您的用例、您可能希望使用防篡改功能、以便器件保持休眠模式、直到终端客户执行某种操作来唤醒器件运行。

在器件编程完毕且休眠模块配置完成后、可通过在 VBAT 被应用时移除 VDD 或 将休眠控制(HIBCTL)寄存器的 HIBREQ 位置位来进入休眠模式。

器件数据表详细介绍了所有可用配置模式、TivaWare 中的 API 可帮助设置每个模式。

当您确定适合您的应用的模式时、如果您对其实施有具体问题、请进行跟进、以便我们可以帮助您进一步详细解释。

感谢 Ralph 的回答、

当微控制器为空时、微控制器内除休眠模块外是否还有其他由 Vbat 供电的电路？ 一些来自制造部门的微控制器从 Vbat 消耗30uA 至100uA 的电流。

CB1正确。 休眠模式的电流规格(IHIB)仅在休眠模块配置正确时有效。 当微控制器为空时、不会执行此操作。 在微控制器编程了正确配置休眠模块的代码之后、才应组装电池。

感谢您回答 CB1和 Bob、

问题仍然存在。 当微控制器由3.3V 电源供电并运行时、休眠模块被配置、当休眠模块激活时、HIB 引脚上的电压电平可以低至0.9V。 低电压电平与空白微控制器上的高电流消耗(30 - 100uA)相关。 我们是否可以配置任何与 HIB 引脚相关的电路来使 HIB 引脚电压更接近3.3V？

[引用 user="Arturas Klipop"]问题仍然存在。

是这样吗？   不是前面的问题、"为什么电流消耗(MCU 进入休眠时)高于预期？    这是本报告员回答的-然后 MCU 供应商确认了这一点。

[引用用户="Arturas Klipop"]当 MCU 由3V3供电(运行时配置休眠模块)时， HIB 引脚上的电压电平可能会低至0.9V -当休眠模块处于活动状态时。

抱歉-您是否建议 MCU 的'HIB'引脚-在 MCU 被订购进入休眠模式后-提供足够的'load'-来下拉您的'3V3'休眠源？   (该电源之前被称为锂离子可充电电池。)   由于我们公司定期使用锂离子电池(并生产定制的串行/并行"电池组")、我们相信这些电池"可完全充电至4V2！"   这会发出警报：

• 未提及的是(任何)"电池充电操作"-锂离子电池正在驱动"HIB 引脚"。   您能描述吗？
• 如果您的锂离子电池确实充电至4V2 -该电压电平是否符合您的 MCU 规格？   (即用于向 HIB 引脚演示)
• 您的锂离子电池是否由"合法"的电池生产商和供应商提供？   如果充满电且是新的、则电压衰减远远超出了我公司/他人的经验。

有可能：

• 如果电池在原位(在您的电路板上-连接到 MCU 时)充电、则 ESD、电压尖峰或(甚至)充电电压会损坏您的 MCU。   低成本充电器"容易"出现电压尖峰-除非适当耗散/限制、否则这些尖峰会损坏 MCU！   (随着 MCU 内部损坏的"增长"、"结构"可能会"逐渐"进行、直到出现"显著"故障。   (您通过引脚"HIB"报告的(可能/潜在)大规模过流消耗-散发出这种瞬态导致的 MCU 损坏的强烈气味...)
• 或者-在您之前的过程中、如果不"订购 MCU 进入休眠模式"、则会导致电池和/或 MCU 损坏

如果您提供电池的 ID 和规格(至少其尺寸)、这将非常有用。   (即18650是一种"世界标准"、但对于您的(休眠)应用来说、几乎肯定是"电池过大"。)

最后-当您报告时、"HIB"@ 0V9"上的电压电平-此时、没有人提到"电池的输出电压"！   和-当立即从(有问题的) HIB 引脚"断开并测量"时、电池电压！   这两个要素都是关键/关键-它们不是吗？

一如既往-一旦您确定了 MCU 的 HIB 引脚规格/限制-并确保您的电路(始终)符合要求-在"全新的电路板和电池"上重复此类测试非常有帮助-并在此处报告这些结果(足够详细)。

Arturas、您好！

补充 CB1关于电池本身的问题：

[引用 USER="Arturas Klipop"]低电压电平与空白微控制器上的高电流消耗(30 - 100uA)相关。

您再次提到 一个空白微控制器上的高电流消耗、我仍然觉得这里有一个断开连接的地方。  由于一个空微控制 器不会处于休眠模式、所以预计该微控制器会消耗高电流。 如果这是唯一的症结、那么解决方案需要是提前对 MCU 进行休眠模式编程。

您好、Ralph、

我不相信这张海报一直处于"空白 MCU"模式。   引述(从他今天早些时候的@ 05:21)：

[引用用户="Arturas Klipop"]当微控制器由3.3V 电源供电并运行时，休眠模块被配置，当休眠模块激活时，HIB 引脚上的电压电平可以低至0.9V。

除非您有(其他)理由"选择"空白模式以继续、否则我们可能"越过该桥"。    我会通过之前提到的一个或多个问题来打赌(更早)"向 MCU 报告"。。

您好 CB1、

我确实希望情况是这样、但我没有看到我们和 Arturas 同意空白微控制器将不会处于休眠模式、并且具有非休眠电流消耗的确认。 他说，“问题仍然存在。” 与先前对话框中的 MCU 电流消耗空白相关的内容。

Arturas、

您能否澄清一下、我们是否仅讨论已配置为休眠模式的已正确编程 MCU 的电压和电流？

事实上，他写道：“问题仍然存在。”    然而-根据他的报价(今天)-首先是你-然后是我-然后是 Bob 的著作-他(非常)被充分告知、"空白 MCU"是不可能实现休眠的。   我完全不相信他之前的问题仍然存在-如果确实存在的话-你、Bob 或"外部人员"还能做什么？

在我看来、"HIB"引脚上的0V9电压电平强烈建议损坏 MCU 或发生故障的锂离子电池和/或相关充电硬件。

我提供了诊断指导-并进一步建议他对新的电路板和电池执行(正确)测试。   (当然、在命令 MCU 进入休眠模式后...)

您好 CB1、

就所有方面达成一致意见。 如果我们已经过休眠、那么 Arturas 将从仔细阅读有关如何诊断0.9V 电压电平的详细指导中受益匪浅(这就是为什么我不接受有关该问题的进一步建议的原因、因为它已经被很好地覆盖)、并向我们提供有关系统设置的更多详细信息。

您好、Ralph、

当"你、Bob 和外部人员"达成(某些)协议时、总是很好。

实际上、锂离子电池是一种力量、其"光年"寿命将比"纽扣电池"更长。   (可能-(轻微)夸张。)

将锂离子电池(或阵列)用作整个电路板的"备用"电源比使用"正常/习惯"要多得多、而不是用于任何"休眠"角色。

我们应该注意到、充满电的锂离子电池在正常运行时(通常)将输出~4V2 -这将缓慢衰减至~3V6。   现在4V2可能超过'129的 VDD 规格-这可能会造成损坏。   (我们不使用'129 -因此我不知道)

一个与此密切相关的可能性是"可能损坏电压瞬变"-当此类电池正在充电时。   我们还不建议海报的蓄电池包含"车载"充电电路-如果存在-一个相当(大)的可疑元件已进入房间...

我的团队(长期)采用了"休眠"(始终遵循您的指导)、从未遇到过任何问题！    (我们使用一个“小”锂离子(几乎是扁平的)电池作为休眠模式-但使用(正确... 瞬态限制)板载充电电路。)

感谢您的回答、

我将尝试澄清 TM4C1297NCZAD 的问题。 我们采纳了您的建议、对 MCU 进行编程并仅使用编程的 MCU 进行测试。 当 MCU 处于休眠模式、HIB 为低电平、电流消耗为规格时、不会出现任何问题。 我们的系统：

• • 纽扣电池、而我们没有其他电源。

• • 主电池：标准18650、由 TI 产品充电。

• • MCU 由降压/升压转换器提供3.3V 电源。 此外、降压/升压转换器和 LDO 为 VBAT 供电。 请参阅随附的原理图切口。  

我们确信、我们的电源电路中没有电压尖峰。

问题：我们正在测量 HIB 引脚上的电压、在某些情况下、当休眠模块配置为唤醒并从休眠模式唤醒时、我们会看到电压低至0.9V (纽扣电池为3V、MCU 电源为3.3V、LDO 输出为3.3V)。 我们的电路不会从 HIB 引脚灌入任何电流：

• • 我们尝试从 PCB 上拆焊 MCU 并单独进行测试–HIB 引脚上的电压相同、为0.9V。

• • 我们对几个电路板进行了 X 射线处理、这些电路板的 HIB 引脚存在问题、并且没有焊接问题

谢谢您-您的新帖子已清晰显示。   我们是否可以注意到、您的"原始问题"不存在-您(现在- POST 建议)仅在 MCU 已编程并被命令进入休眠模式后才能正确地"测试"。    (此处有三个-从供应商的 Ralph 开始-指示它！)

为了帮助诊断-供应商和我可能会寻求更多详细信息：

• 您过去曾写道："我们遇到休眠模块电流消耗的问题。"    这种"特定休眠电流"问题发生在多个电路板上-是这样吗？    如果是这样-您的板中有多少百分比会遇到这样的"休眠电流过流"问题？
• 这些电路板是否来自"新制造工厂"、或者是否采用了"更换的组件"和/或可能已更改的任何其他内容？
• ESD 始终是一个问题-在整个"采购、到达/解封、组装和测试"过程中、MCU 必须"以 ESD-Care 处理"！   您是否确信您的方法足以-而且同样地-过去方法中"没有变化"(这些方法是否已经证明"无问题"发生了？
• 您如何"主动"测试/探测瞬态电压尖峰(偶数)。   我们公司生产的产品(电池供电)使(几乎)任何电压成为"触发器"、然后可能会等待"持续/周"、只是等待"捕获并记录"引发问题的瞬变的机会。   (可能是高于和/或低于地面)  您的"测试"包含了如此深度-如此严格？   许多客户"声称"他们的董事会"无瞬态"-很少(赦免客户)会"证实了这种情况！"

现在-您的写作(技术和精确-太棒了！) 但您的初始帖子包含以下声明："我们的产品不使用3V 纽扣电池作为开关的输入电压。 它使用外部电源(来自外部可充电锂离子电池)作为开关的输入、并使用 HIB 信号来启用开关输出。   这是一个非常复杂的句子-在我的年轻/天才员工和我自己中、一个没有完全理解(也没有达成一致)的句子。   除非员工和我已"选择"、否则您(精心制作的)原理图中不会显示任何开关。   员工注意到、"开关"可用作名词(即作为物理组件切换)或动词(您打开/关闭电路)。    我们目前无法解决您(交换机)的使用意图-尽管"节点交换机"已在"潜在"中升高。

为了进一步澄清、您的肖特基二极管可防止纽扣电池"充电"、并且提供的压降比从电路板的3V3驱动的(假设的)"正常"二极管更小。   您的目的是、"正常电路板3V3电平(超过电池/肖特基电压)将"保持"纽扣电池的输出、并在您的"主电源稳定启动并运行时为"VBAT"供电。   是这样吗？    如果是这样、51Ω Ω 电阻器右侧(电池/3V3侧)的电压电平(每个)是多少？   (当只有一个电压源处于"活动"状态时-我们会注意每个电压电平之间的"变化"、以确保不会发生"非法"开关。   (是的-我们已经看到了...)

再次表现良好-亲切地"游遍"并尽可能地作出回应。   细节(即使认为"多余")通常会有所帮助。   (即最有帮助的！)

是的、我们看到多个板出现了这个问题、

电路板来自新批次、无需任何返工、

我们始终遵循 ESD 保护程序。

您好！

请"重新阅读"我之前的帖子-员工始终"在我的耳朵中"-(他们做了真正的工作)我是他们的指导/问题解决者。   (有时-是的、我看到了员工的"眼睁睁看着'…… 没有陪审团会把我定罪... 应该有一个/几个“缺失！”)

新项目-在今天的帖子中更深入-旨在进一步探索-并解决您的休眠过流问题...

您能否尝试在 HIB-引脚和电路的其余部分(可能为1K)之间添加一个电阻器？ 这将有助于确定该引脚是否试图驱动某些未供电输入或其他泄漏路径。 我意识到使用 BGA 封装可能会很困难。 此外、您可能还需要仔细检查未组装的 PCB、以验证是否没有意外短路。 0.9V 电平是驱动冲突的典型值。 另一项测试是添加一个1K 上拉电阻器。 如果电平达到3.3V、则问题是 HIB-引脚未驱动。 如果电平没有变化(或只是轻微上升)、则会拉低 HIB-引脚。

令人沮丧的是、海报的原理图"不提供输入"与"/HIB 引脚的管理"有关。   但是、他最近的帖子(包括"部分"原理图)显示：

[引用 user="Arturas "]

问题：我们正在测量 HIB 引脚上的电压、在某些情况下、当休眠模块配置为唤醒并从休眠模式唤醒时、我们会看到电压低至0.9V (纽扣电池为3V、MCU 电源为3.3V、LDO 输出为3.3V)。 我们的电路不会从 HIB 引脚灌入任何电流：

• • 我们尝试从 PCB 上拆焊 MCU 并单独进行测试–HIB 引脚上的电压相同、为0.9V。

[/报价]

海报记录了以下内容(有些人可能会"预测"您(最新)的帖子：)

• "我们的电路不会从/HIB 引脚灌入任何电流"
• '当 MCU 从 PCB '焊接' 时- 该0V9测量值仍然存在。'    (我不知道(所有)电源和关键引脚如何保持正确的供电和连接-在"焊接"后-除非海报有(仅)"焊接"/HIB 引脚)-  (一个巨大的"可疑情况"会随"此"海报声称而到来。)

/HIB (也许)的"治疗"(连接)证明是至关重要 的-(当然)应该 尽快到达这里...

谢谢、Bob、

HIB-引脚和电路其余部分之间的电阻器(也许1K)- 1K 上的压降= 0V；

检查未组装的 PCB -每个 PCB 都由飞探头和 AOI 在制造商的工厂进行检查。 在我们的工厂检查了很少的未组装 PCB。 一切都好。

1K 上拉电阻器- 从0、9V 上升到2、1V。

如果我在供应商到达之前、以下说明应该会有所帮助。

[引用 USER="Arturas "] HIB-引脚和电路其余部分之间的电阻器(可能为1K)- 1K 上的压降= 0V；[/引用]

此声明需要进一步详细说明：

• 在什么"工作条件"下、在该1K 电阻器上测量的电压为0V？   (即电路"正常工作"-或"故障"(HIB 随后为~ 0V9))  [0V9 = 0.9V]
• 据认为、当'HIB 处于/大约0V9'时、供应商对该1K 电阻器上的'压降'""特别感兴趣。
• 由于 HIB 引脚正在接受审查-不应该透露"电路的"(即"连接到并控制 HIB"的电路)？   您已经很好地详细说明了(其他)连接-但(不) HIB！

必须假定"(HIB 控制)电路的"状态"旨在(仅)对 HIB 应用有效逻辑电平。   如果在"运行失败"期间(HIB 测量0V9)、1K 串联电阻(放置在 HIB 和"电路的'第一个'之间)存在0V 压降、则 HIB 的'电流'为标称值-电路'的'第一个'成为'主要可疑'。

另一项有澄清之处：

[引用 USER="Arturas "] 1K 上拉电阻器- 从0、9V 到2、1V。[/quot]

• 是否使用了上拉电阻器(while) 1K 串联电阻器(在 HIB 路径中)？
• 如果是- 1K 系列 R 的哪一侧连接了上拉电阻？  (即 MCU 侧或"电路"侧？)
• 假设电压上升到'HIB'(0V9至2V1)-并且串联1K R 仍然存在-电路'的'电压测量值是多少？'

需要深入了解"电路的"(真正)以及"实际运行条件"、在此条件下进行测量...

现在、我们要测试两个 PCBA。 第一个是 HIB-引脚和电路其余部分之间的1k 电阻器。 第二个具有1k 上拉电阻器。

在1K 执行之前、两个 PCBA 上的电压均为~0.9V。

您选择"间接"解决我的问题、这会增加复杂性。

'电路'(驱动 HIB)仍然可疑... 完全"未知"。

谢谢、Bob。

我无法重现您的结果。 我在休眠模式下看到 HIB-引脚为低电平、在非休眠模式下看到3.26V 电压。 您是否有 EK-TM4C1294XL launchpad？ 您能否在 LaunchPad 上重现0.9V 问题？

尊敬的 Bob：

我很好奇、如果32kHz XTAL 振荡器 在 VBAT 驱动期间不振荡、街道电源被移除、它是否会导致意外的模块控制问题。 HIB 模块振荡器似乎必须在街道和电池电源上运行才能 通过日历32位 实时时钟 事件进行唤醒。

谢谢、Bob、

嗯、我们认为 LaunchPad 不是解决问题的正确方法。 我们使用 BGA 版本的第一件事。 第二件事-您只测试了一个或几个 LaunchPad。 对于我们来说、它也不是100%的故障率。

第三点是我们不能在公开论坛上披露我们项目的全部细节。 99.9%的人确信这是 MCU 故障、但我们不知道原因。 因此、最好的方法是获取"非论坛"支持...

为了保护供应商代理的"专注、专注和持续"支持-必须(再次)注意到 MCU 的'suspect /HIB'引脚"连接/连接/驱动"电路仍为'未知'。    ("商业秘密"是否延伸到/HIB Pin 的管理方面令人怀疑。)

让供应商的当地销售办事处参与始终是明智和高效的、但在您的情况下、供应商的支持(此处)已证明是典范...

我已向您发送了一份朋友请求、以便您可以向我提供您不希望在公共论坛上发布的信息。

我已经验证 HIB 引脚是否可以正常工作我们的 DK-TM4C129x 板(它使用与您的器件相同的 BGA 封装)。 我将这些问题分为三个方面：

1. 软件
2. 部件
3. 硬件  

软件：由于您声称这不是100%的故障率、因此软件不太可能出现、但这并不完全排除这种可能性。 配置不正确可能导致间歇性故障。 虽然我同意您的情况不太可能发生这种情况、但如果您可以运行"C：\ti\TivaWare_C_Series-2.1.4.178\examples\boards\ek-tm4c1294xl\hibernate"中的示例代码、则可以消除这种可能性。 此代码需要在 UART0上连接串行端口。 如果没有、则需要修改。 如果需要、我可以帮助实现这一点。

器件：HIB-引脚在我们发运的所有器件上进行了测试。 潜在故障只在一段时间后出现的可能性很小、但这些故障通常远远少于百万分之一。 您没有提到您遇到的故障率、但我怀疑它比这高得多。 最后、如果 TM4C129x 器件上的 HIB 引脚存在系统问题、我们会从多个客户那里了解到这一问题。 到目前为止、您的问题是我目前唯一知道的问题。 要真正识别设备故障，我们建议您进行 A->B、B->A 交换。 您可以从故障电路板和通过电路板上移除并重新焊球、然后进行交换。 问题出在器件还是电路板上？

 硬件：这包括 PCB、电路板设计和连接到微控制器的其他组件。 我知道您提到过 PCB 已经过100%电气测试。 但是、电压故障特征与 HIB-引脚短接至另一个尝试驱动低电平的输出引脚或电阻接地短路时相同。 一项测试是从发生故障的 PCB 上移除 TM4C129器件、然后尝试使用1K 电阻器驱动 HIB-引脚的焊盘。 如果对连接到 TM4C129器件的另一个信号引脚短路、该测试可能无法得出结论。 通过检查哪些迹线、内部和外部层、经过 HIB-信号的迹线、您可以识别另一个卡在0.9V 的节点。 这些网络可能会短路。 请特别注意过孔附近的迹线。