[参考译文] TM4C123BH6ZRB：[TM4C123BH6ZRB] EEPROM 内的复制缓冲区

您好 Yihe、

请参阅以下段落：

复制缓冲区仅在主块已满时使用、因为一个字已经被写入七次、并且没有更多的空间来存储其最新版本。 在这种情况下、块中所有字的最新版本都被复制到复制缓冲区中、这样可以安全地擦除主块、从而提供断电安全性。 如果复制缓冲区本身已满、则必须首先将其擦除、这会增加额外的时间。

基于这一点、似乎复制缓冲区中有7个块大小的空间、因此我同意这一评估、但我要说、上面的段落清楚地显示了它与由于时间而产生的猜测相比。 请参阅 ：https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/other/f/908/p/833412/3083777#3083777

关于如何知道擦除时间：

寄存器19：EEPROM 支持控制和状态寄存器(EESUPP)

如果下次使用内部复制缓冲区时必须将其擦除、则 EREQ 位会被置位、因为缓冲区已满。 为了避免在下一次写入时等待复制缓冲区被擦除的延迟、可以通过将 START 位置位来手动擦除该寄存器。

您好 Yihe、

每页为16个字。 2页块是32个字、与模拟 EEPROM 的底层闪存的扇区大小相匹配。

我发现了一篇 E2E 文章、其中详细介绍了复制缓冲区：  

我认为这将回答许多问题。 此外、复制缓冲区看起来仅为16个字。 它没有7x 深度。 它只复制16个字中每个字的最新版本、然后在块擦除后写入。

这篇文章有很多细节、即使我不是很清楚、所以请仔细阅读、如果您有任何疑问、请告诉我。