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[参考译文] TMS570LS1224:可用于 TMS570的硬件引导加载程序?

Guru**** 2322270 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/579771/tms570ls1224-hardware-bootloader-available-for-tms570

器件型号:TMS570LS1224
主题中讨论的其他器件:冲击

大家好——

我想知道 TMS570 Hercules 器件中是否有可用/存在硬件引导加载程序? 即、是否存在与某些 MSP430产品类似的掩码 ROM /器件引导加载程序、在这些产品中、它可以从外部存储器器件引导?

我有一个应用、希望避免使用闪存、并将程序代码从受信任存储直接加载到 SECDED 保护的 SRAM 中以供执行。

谢谢!

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    Krunal、您好!

    Hercules 系列 MCU 中没有可用的硬件引导加载程序。 我们确实有基于闪存的引导加载程序示例、但这些示例需要使用基于 JTAG 的编程工具进行初始编程。

    您能否提供有关为何要避免使用内部闪存的详细信息?
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    你好,Chuck --

    感谢您的快速回复。 我想这是情况(总是需要在复位矢量的闪存中存储某种代码)、但想看看是否有替代代码。

    我喜欢 Hercules 器件的锁步和其他高可靠性特性(器件存储器中大量的 ECC、包括外设缓冲器等)。但我需要处理电离辐射、并且我的引导加载程序被销毁/损坏、从而使器件无用将是不幸的。 我想、如果硅已经在一个简单的状态机驱动的 BSL 中屏蔽了芯片、以便从一些外部硬化存储器(FRAM 等)加载、那么我可以避免完全使用闪存、并将我的软件保持在 SECDED 保护的 SRAM 中。

    我认为这不会改变您的答案、但请告诉我是否有其他有趣的解决方案可让我忽略!
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    Krunal、您好!

    我当然理解您担心将闪存用于这些目的、但基于 RAM 的代码执行是否仍会受到损坏可能性更大的影响? 我不是辐射及其对存储器内容的影响方面的专家,但我知道,一个独立方完成了一项研究,在地球外环境中使用了几种不同的装置来研究空间运行对这些装置的影响。 有关测试和结果的一些演示、请访问此链接 www.dlr.de/.../0803_(Underwood).pdf

    以下是另一篇很好的文章、其中 Hercules 器件以及其他器件作为研究的一部分接受了独立组织的重离子测试: ieeexplore.ieee.org/.../

    希望这些信息对您有所帮助、即使重离子测试下的器件性能可能满足或可能不满足您的需求。
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    你好,Chuck --

    是的,你绝对正确--我的想法是,在 RAM 执行中出现错误时,我们只需从受保护的内存存储区复位/重新加载即可。 根据闪存中的引导加载程序、除了可能发生会使引导加载程序发生爆炸并使整个部件无用的粒子冲击/损坏事件之外、还可以正常运行。 如果'bootloader"位于器件中、则只需进行简单的复位、就可以启动该加载程序并从外部 FRAM 器件重新加载内容。

    我将研究你提到的那些论文--谢谢!

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    Krunal、您好!

    我的帖子是否充分解答了您的问题? 如果是、请使用绿色的验证按钮来指示、以便我们可以关闭该线程。
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    你好,Chuck --

    哎呀--是的,确实是这样。 将其标记为“已接受”--再次感谢您的帮助!

    KD