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[参考译文] TM4C1294NCPDT:可一次性写入闪存的最大字数

Guru**** 2318210 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1294NCPDT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/585102/tm4c1294ncpdt-max-number-of-words-that-can-be-written-at-once-in-flash

器件型号:TM4C1294NCPDT

大家好。

TM4C1294NCPDT 处理器手册的第641页显示[寄存器10:闪存写入缓冲器 n (FWBn)、偏移量0x100 - 0x17C ]最多保留32个可同时在闪存中编程的寄存器地址。 这是由 FlashProgram (...)完成的 在环路和0x7c 控制的帮助下执行该例程。 还可以 因此*pui32Data 传递参数不能包含 超过32个字的地址/点地址。 正确???

此外、循环指针 ui32Count 虽然在此函数中作为 uint32_t 参数传递、但最终不能大于128字节。 正确??? 如果是这样、那么为什么它作为 uint32_t var 传递????  

非常感谢、John。

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    不可以,函数 FlashProgram()将在每次执行从 flash.c while (ui32Count)第209行开始的 while 循环时执行多个编程步骤,最多可编程128个字节。 限制条件是起始地址和计数必须是字地址、甚至是4的倍数、当然不会超过闪存的末尾进行索引。