[参考译文] EK-TM4C1294XL：发现的 RA2 Launch Pad 将247-250欧姆 VDD 读取到接地端、并且有时表现不佳。

BTW：这些 EK-TM4C1294XL LaunchPad 仍可执行并刷写应用、即使 VDD 为247-250欧姆。 这两个 LaunchPad 中的生产失败以及可能更多的生产失败正在对社区造成严重破坏！ GPIO 端口接地的二极管检查还 表明、低下降读数为0.770v、而0.889或高至1.2V、这是一种原始的栅极行为。

谁会想到在闪烁且似乎正在运行应用程序的全新 LaunchPad 上执行 VDD 接地欧姆测试或 GPIO 二极管测试？？

尊敬的 Bob：

[引用 user="Bob Crosby"]我无法从您提供的电阻读数中做出大量的贡献[/引用]

未供电的 Launch Pad DMM 欧姆检查和二极管检查都检测到低电阻 短路、但电路板上电。 当   +3V3为典型电源时、很难想象 DMM 欧姆检查1VDC 会导致轨保护二极管导通。  对于 VDD 去耦电容器 、MCU 过孔周围有明显的电路板翘曲、它们之间已经 非常接近、但即使是8个分频放大倍数也无法判断 它们之间是否存在短路。

这些问题并不是什么新问题、大多数问题都是开箱即用的、去年 有两个电路板中的一个报告了这个论坛。 对于一种 情况、如果通道 输入在没有连接的情况下保持悬空、并且应用对通道进行采样、ADC 将随机锁定。 切勿费心检查 JP2电流消耗、因为应用正在运行、LED 闪烁使其看起来一切正常。  之前、DID 报告了这个论坛  3V3 LDO 上的100mV 噪声条件。

7.5K-9.7k Ω VDD 启动焊盘几乎 不会立即锁定或 经常锁定。  如果静态电以某种方式 短路了保护二极管、则 JP2的电流消耗 应 大约比 VDD 消耗高0.013ma。  在处理 Launch Pad 之前、请非常小心地进行自我放电、 尤其是在地下室实验室、我们在工作台附近有箔覆盖绝缘层、用于 释放 身体静电。

[报价 USER="CB1_MOBILE "]您是否没有衡量与3V3[/QUERPLEG]接触的"一切"？

移除了+3V3 JP2、因此它不是只有 MCU 和去耦电容器+内部外设。 反向 DMM 引线在两个电路板上仍然测量相同的极低240-250欧姆值、但 存在奇数问题。  然而、说明良好的 Launch Pad (复数)读数为7.8k- 9.8k+欧姆 不会出现随机锁定或 PWM 空隙问题。 二极管检查引线反转上的 DMM 测量的压降为0.4v 0.2V、而不是1.9v 压降正常启动焊盘。

曲线示波 器(检查了工作台修复  的 CMOS 器件) 将显示垂直 闭合椭圆形 、表示 电容具有极低的电阻 、而不是良好的复选标记。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]因为(始终) BP 对供应商的错误-仍然宣称为"无效"(即使在-特别是当-"别名"和不当测量技术迅速/强劲上升成为"最重要"的潜在客户...[/引述]

新的 LaunchPad 在 PWM 中没有空隙似乎 表示240欧姆 VDD 导致 PWM 或 ADC 外设的某种间隔硬件故障。

[引用 user="Bob Crosby"]比较300mV 时的不同启动焊盘可能更好地指示电阻短路、因为该电压足够低、不足以打开晶体管。

有些困惑     、因为这违反了欧姆定律、该定律要求 DMM 向应用于极低微安(而不是毫安)的工作电路注入1伏电压。

另一项测试：DMM 二极管检查将毫安注入 VDD 轨、还 揭示 了不良充电垫上的极低压降(0.2V)和良好启动垫上的(1.6V-1.9v)。 DMM 二极管检查可点亮 大多数 LED、因此 在电流下降中存在毫安电流、通常低于30mA。

 VDD 轨中可能存在一个不良电容器、但应怀疑 布线之间的 PCB 铜锡须短路 是问题所在。

供参考：   电路原理图中未指示 MCU 的 VREFA+输入横过 X11头、并且   也未指示与 C41并联的 VDD C16。

您好 BP101：

很抱歉，我似乎在解释我的观点时遇到了异常困难的时间。 首先、我不是说电路板坏或好。 我的观点是、通过施加1V 电压来测量3.3V 半导体电源轨的"电阻"、测量电流可能会产生误导、因为1V 电压非常接近阈值电压、并且开始为有源电路供电。 如果您在电路板上测量到250欧姆、强制电压为1V、这意味着仪表测量到的电流为4mA。 相反、如果您使用了300mV 强制电压并测量了1.2mA 的电流、我同意您具有250 Ω 的电阻短路。 它就像测量二极管的正向"电阻"。 如果我测量的二极管的标称压降为700mV、强制电压为1V、我认为我的电阻很低。 如果我使用300mV 强制电压测量同一二极管、我将测量非常高的电阻。 我在电路板内测试中遇到了同样的问题、这些测试试图识别布线之间的短路并使用过高的强制电压。 由于器件上的阈值电压确实会变化、因此某些器件会通过、而其他器件会"失败"。 这两组器件实际上都很好、并且在规格范围内。

现在回到您的问题。 您的二极管测量结果给我留下了更深刻的印象。 测量200mV 压降远低于我 的预期。 您建议使用坏电容器或铜晶须。 这可能是、但我不希望250欧姆的铜晶须影响其运行。 它只需将13mA 添加 到您的工作电流中。 电容器损坏可能会影响运行。 尤其是当问题与电源轨上的滤波噪声有关时。 另一种可能的来源是 ESD 结构过载。  当过大的电流流经 ESD 结构时、有时耗散的功率会导致内部铜熔化、并导致内部电阻短路。 问题在于 ESD 结构被破坏、无法再帮助防止过压 瞬变。 这可能会解释您系统中处理电流开关反激电压的不同行为。  过载 ESD 结构和不良电容器都可能是由使用电感负载切换大电流的反激产生的过压引起的。

[引用 user="Bob Crosby"] ESD 结构过载和电容器损坏都可能是由使用电感负载切换大电流的反激式电压造成的。

其中一个 LaunchPad 从未受到  电机 逆变器的影响、并且在随机 USB 主机断开时出现了全新的开箱即用问题。 当时记录的论坛投诉+3V3 LDO 在 通过 计算机 USB 供电时可能会产生噪音、而 简单地说、断开连接必须是应用程序错误、并将其设置为侧面几个月未使用。

另请注意、电机逆变 器 Launch Pad +3V3 LDO 由  LM5007 提供+24V 至+5V 电压。  LM5007 在   连接 到电机逆变器驱动器 FAN7382的 LaunchPad 上对大多数+/-4VAC PWM 瞬变进行滤波、使其降至+/-300mv 级别。  奇怪的 PWM 反激脉冲不 会在 +3V3 LDO 上发生 、 而是在  (CF)去耦 VREFA+上发生。  反激脉冲   通过低侧逆变器分流器进入 INA240模拟电流监控器、并进入 ADC 基准 VREFA+、但它们的尺寸为毫伏。 然而 、在+24V 直流 LA 电池电源上、它们的振幅甚至更高+/-4VAC。

[引用 user="BP101"]是否不需要至少2kV 或更高的电压来短接1个或多个电压轨保护二极管？

供应商的"Bob"(和本记者)昨天就这个问题提供了见解。   过去曾在类似的半巨型器件工作过-我们注意到、这些"保护二极管"不能承受"无限且广泛"的电流。  另请注意、当输入电压超过"二极管压降"-高于 VDD -或低于 GND -时、这些二极管导通。  重复"行使"这些二极管通常会造成问题、破坏性的内部金属化通常会级联、从而"造成"严重破坏。

现在有人知道、您已经对功率 FET 进行了深入研究-并且对 FET 的"体二极管"非常了解  这些 FET 体二极管是非常实质性的结构-与被压入更复杂的 MCU 的二极管不同。   MCU 保护的使用应"谨慎"、以实现最佳、长期的器件性能、甚至生存...

因为该电路板提供了一种测量和监控电流的简单方法、因此该测量可避免 出现任何"不需要的 MCU (和其他器件)结点开启"的可能性。   (由 MCU 电源轨的"电阻测量"不当(注入电压电平不正确)(可能)引起)。   "可以做"的简单事实并不延伸到"应该做"。   您知道、我的公司采用了来自多家供应商的 ARM MCU -"没有一家提供 VDD 至 GND"您所寻求的电阻测量！   这应该是一个问题，不是吗？

MCU 的电流测量-在相同的设置和工作条件下重复进行-为此类测量提供"黄金标准"。   并解释了连接到 MCU 的 VDD 线路为何易于访问/中断-并提供快速、简单、有效的 MCU 电流监控。

最后一个问题-非相关问题-您是供应商改进的电流监控器"INA-240"的早期采用者。  (并且非常亲切、足以"分享"您的发现。)   该器件专门用于"通过"高电平共模摆幅"来减少施加于此类监控器的正常/习惯的负面影响。   您已将该器件放置在低侧 FET 的返回路径中(先前的 BP POST 显示)-其中共模摆幅非常小！   当器件与电机相位线一起放置时、可以实现更好的布局和 INA-240 -在这里、器件会暴露(并最大限度地降低)"严重共模摆幅"的负面影响。

[引用 USER="CB1_MOBILE "]您寻求的"没有人提供 VDD 至 GND"电阻测量值！   这应该说明-是不是吗？[/引述]

您是否意味着二极管检查甚至电源轨电阻检查是 我在数百个不良硅器件上30多年所做的无效方法？ 发现 一个开箱即用的新 LaunchPad 从未将 接头连接到任何部件 、具有这些非常相同的 VDD 低压降/电阻读数、这真是奇怪。

我想说 的是 、它们 都有足够严重的静态间隙、足以导致轨二极管短路 、或者 PCB 有缺陷、或者 200mV VDD 压降 是   MCU 运行的100分之一。  一个简单的实验室测试 将测量一个新的 EK-TM4C1294XL JP2删除 了 JP2 引脚2上的测试 VDD 二极管压降、然后用 ESD 枪对其进行良好的 ZAP、然后在之后再读一读。 执行此操作数次、 每次加电 ESD 枪电压、然后重新测试 VDD 轨压降。  其理念是二极管 保护 VDD 输入免受+4V 至2kV 的影响 、 并且 VREFA+上的+/-400mV PWM 尖峰不会使保护二极管 短路。  如果 可能发生任何情况、则基板 在  集中电子穿透但不在 干净的独立 VDD 上的区域中会被削弱。 这是 除非  它在直接连接到 VREFA+ 时更容易出现此类故障、如 R41=0R0 、并且像 一条 dang 天线线线等待 ESD zap 一样空闲地向外延伸到 X11。

同样  、TI-FE 的问题 是 、足够严重的静态 zap 是否会导致 内部 MCU 损坏、 从而 在 200mV 压降下测量 VDD、 以及在测量之后是否仍然进行 POR？

[引用 USER="CB1_MOBILE "]当器件与电机相位线一起放置时、会发生更好的放置和实施 INA-240 -在这种情况下、器件会暴露(并最大限度地降低)"严重共模摆幅"的负面影响。[/QUERPES]

因此、INA240前端声称它通过设计过滤大多数 FET Δ dv/dt、根据论坛 FE、它与 低侧相比、在线的 CMM 摆幅更大。CMM 实际上为零。  FE 尚未解释 Δ dv/dt 如何传递 到 240输出、但它是极低的-100mV 电平。  

您好 BP101：

我怀疑您知道这一点、但如果某些新用户感到困惑、ESD 保护二极管不会在所有高达2kV 的电压下提供保护。 2kV 的 ESD 规格适用于能量有限的特定测试。  有关详细信息、请参阅数据表中引用的 JEDEC 规范。  JESD22-A114F

关于测量电源引脚的"电阻"、我只需注意不要提出数据表中不支持的通过/失败标准。 当使用的强制电压足够低时、这当然是测量引脚泄漏的有效方法、但当您接近晶体管的阈值电压时、您可以获得变化广泛的结果。 如果在本论坛中、我们说测量值小于500欧姆的电路板在未定义测量方法的情况下识别出损坏的电路板、 新用户可以在3..3V 电压下测量100mA 的电流、并返回一个非常好的电路板、计算"电阻"仅为330欧姆。 (我知道您了解这些内容、这是对可能关注此主题的其他人的澄清。)

我并不是说您有一些损坏的电路板、这是不同意的。 我认为很有可能。 我担心它们是如何受到破坏的。 我正在密切关注此论坛、以了解其他人是否有相同的问题、从而确定我们是否存在制造问题。 一个"开箱即用"故障确实令我感到担忧。

我建议您不要对因切换大负载而产生的反激式电流(尤其是在电感较强的情况下)在器件未得到充分保护时会对器件造成电气过载的问题进行折衷。

[引用 user="BP101"]……二极管检查甚至电源轨电阻检查都是 我在过去30多年中所做的无效方法[/引用]

事实上、正如供应商的 Bob 和我所指出的那样、这种"轨"测量如今证明、由于大幅减小的 IC 线和间距几何形状所需的电压降低、IC 复杂性也大幅提高、因此这种测量方法更具挑战性！    不知怎么说——你错过了这一明确、广为宣传的事实——你不知道吗？   (锁步- 3个十年前的战术(可能)需要(部分)更新！ (笑声) 这些不是您父亲的 MCU。。)

同样、没有 MCU 供应商会注意到您的电压轨阻测量列表、也没有建议/主张您的电压轨测量！   不是一个！   (可能是由于对这些措施施加了严格的限制性要求-而且(卓越的)电流测量技术证明更安全、更有意义且可重复。)   

当您报告电路板"不规则"时、是否证明您不明智地投资于合适的防静电桌面垫和腕带、并确保此类 ESD 系统正确。  (尤其是接地)  您之前提到过一种较小的 ESD "保护"方法、但地板、办公桌、腕带和适当的设置被称为 ESD 保护的"黄金标准"。   (正确端接腕带及其严格的使用至关重要...)   另请注意、公司/我已经(很容易)购买了200多个 MCU 评估板(多个供应商)、但还没有遇到一个-"DOA！"

至于 INA-240的使用(放置)、它显然是为了监测相电流(共模大摆幅所在的位置)。   将该器件放置在低侧 FET 回路中几乎没有什么好处。  (再次-您选择"简化"与"最佳实践"。)   我敢打赌、您将 INA 的输出范围限定为"示波器接地导线完好无损"(全长)-这(几乎)肯定会添加不需要的"拾取"。

尊敬的 Bob：

[引用 user="Bob Crosby"]我建议您不要对因切换大负载而产生的反激(尤其是在电感较大的情况下)在器件未得到充分保护时可能导致器件上出现电气过载的情况进行折衷处理

发现这是一个奇数点、因为 它在进入 TM4C 比较器的时间和地点都不会真正被视为高电压、VREFA+为+/-300mv TOPS。 在  Fairchild 论坛上、相同的 PWM 反激浪涌也称为高频降压电源中的 FET 开关节点尖峰。  PWM 仅为12.5kHz、会随机发生尖峰 、INA240会过滤 掉 INA282允许穿越的所有较低 PWM Δ dv/dt。

[引用 user="Bob Crosby"]对于测量电源引脚的"电阻"、我只需注意不要提出数据表中不支持的通过/失败标准

我不记得在 数据表中找到了任何类型的电子故障排除技术、因为 这不在文档的范围之内。 我可以说的是、曲线跟踪器执行相同的基本 测试 、它是一个行业标准、用于检查 所有 控制器引脚 是否存在损坏。 我更换 了数千  个坏 CMOS 器件  、这些器件在一个或多个引脚(包括 VDD)上未通过二极管检查或电阻曲线。  Google B&K 曲线 追踪器、用于检测不良硅结等的出色仪器...

 [引用 user="Bob Crosby">您可能知道这一点、但如果某些新用户可能感到困惑、ESD 保护二极管不会在所有高达2kV 的电压下提供保护。 [/报价]

还想知道、如果 TVS 二极管已经存在、为什么要将其放置在外部 I/O 上、但 无论如何也要将其添加 到 模拟/比较器共享输入等关键位置。  三个模拟比较器-INN 分别硬接线至3个模拟通道输入。 必须想知道   多路复用器中是否 出现了某种奇怪的电流流、并增加了 VDD 问题。 嗯、它只有两个 LaunchPad、而逆变器的替代产品目前运行良好、没有低压降或电阻 VDD。