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器件型号：RM48L952 您好！
由于前一个线程已旧并锁定、问题仍然存在、我启动了一个新线程。
这是旧版： e2e.ti.com/.../rm48l952-crystal-circuit-recommendations
我们最初的计算确实有错误、但它对结果的影响很小。
对于不同的串联电阻、测量通过晶体的 RMS 电流可得出以下结果：
0Ω 显示了4.3mA 和740µW μ A。
1.3kΩ Ω 显示了3.1mA 和384µW Ω。
3.3kΩ Ω 显示了2mA、160µW Ω。
串联电阻放置在来自 MCU 的 OSCOUT 上：
通过查看 ECLK 输出、我们可以看到以下不同串联电阻的情况：
- 0欧姆：占空比约为45%-脉冲为28ns
- 5k：占空比约为38%-脉冲为24ns
- 18k：占空比约为9%-脉冲为6ns
- 33k：不启动
- 75k：无法启动
根据 TI 数据表、6ns 是振荡器方波输入的限制、但晶体运行没有限制。
通过查看 ST 器件数据表、可以计算出晶振运行的安全系数：
我们仍在寻找 TI 关于此主题的建议。 我们的器件有何限制？
此外、您是否对获得批准的特定晶体有任何建议？
此致、
八月的 Hultman
