主题中讨论的其他器件：HALCOGEN、
我正在尝试使用组7中的 EEPROM 仿真模式。 我 修改了程序块 API 以与组7配合使用。 还向 FLASH_Sectors 阵列添加了其他闪存扇区、以便固件可以将其拉取。
我尝试擦除地址0xF0201000、并成功执行此操作。
但是、当我尝试写入时、写入在检查条件下失败。
｝
REG_PTR =(volatile uint32_t*) 0xFF87288；
*REG_PTR = 0x00000005；
*REG_PTR = 0x00040002；
*REG_PTR = 0x00000002；
status = fapi_BlockProgram (file_Bank_location、write_address、(uint32_t)&file、sizeof (struct file_download_properties))；
退货状态；
块程序函数看起来是这样的
寄存器 uint32_t src = Data_Start_Address；
寄存器 uint32_t dst = Flash_Start_Address；
寄存器 uint32_t bytes_lese_size_in_bytes；
uint8_t i、ucBank；
uint32_t status；
uint32_t 字节；
uint32_t Freq_in_MHz；
FREQ_IN_MHz = SYS_CLK_FREQ；
如果(size_in_bytes < 16)
bytes = size_in_bytes；
其他
字节= 16；
对于(i = 0；i < NUMBEROFSECTORS-1；i++)｛
if (Flash_Start_Address <(uint32_t)(flash_sector[i+1].start))
｛
ucBank = flash_sector[i].bankNumber；
中断；
｝
｝
if ((Flash_Start_Address == APP_START_ADDRESS)||(ucBank ==1)||(Flash_Start_Address == 0)||
(ucBank == 7))｛
Fapi_initializeFlashBanks (Freq_in_MHz)；//用于 API Rev2.01 *
Fapi_setActiveFlashBank ((Fapi_FlashBankType) ucBank)；
if (Bank = 0)｛
STATUS= Fapi_enableMainBankSectors (0xFFFF)；//用于 API 2.01*/
｝
否则｛
STATUS = Fapi_enableEpromBankSecors (0xFFFFFFFF、0xFFFFFFFF)；
｝
while (fapi_check_FSM_ready_busy！= fapi_Status_FsmReady)；
while (fapi_get_FSM_status！= fapi_Status_Success)；
｝
while (bytes_ele> 0)
｛
fapi_issueProgrammingCommand ((uint32_t *) dst、
(uint8_t *) src、
(uint32_t)字节、
0、
0、
Fapi_AutoEccGeneration)；
while (fapi_check_FSM_ready_busy =fapi_Status_FsmBusy)；
while (fapi_get_FSM_status！= fapi_Status_Success)；
src += bytes；//size_in_bytes；
dst +=字节；//size_in_bytes；
bytes_elee_ele= bytes；//size_in_bytes；
if (bytes_elsage < 16)｛
bytes = bytes_eles;
｝
｝
#ifdef DEBUG_MSG_L3
UART_putString (UART、"\r 已编程闪存：")；
UART_send32BitData (UART、size_in_bytes)；
UART_putString (UART、"字节。 \r ")；
#endif
fapi_flushPipeline()；
状态= Flash_Program_Check (Flash_Start_Address、Data_Start_Address、Size_in_bytes)；
返回(状态)；
有什么建议吗？
