主题中讨论的其他器件：HALCOGEN
您好！
我想测试"主 SRAM 硬错误缓存和活锁"机制。
以下是我对该机制的理解：
(1)如果存在 ECC 活锁故障、将设置 ESM 组2通道16。
(2)只要 ESM 2.16被置位、处理器就会进入"FIQ void esmHighInterrupt (void)"。 "HALCoGen v 04.06.01生成"Fiq void esmHighInterrupt (void)"。
问题1：我的理解是否正确？
我在 安全 TI 诊断库 v 2.3.1中找到了一些示例代码。
SRAM_LIVELOCK_DIAGNOSTICS 案例：
(void) sl_FLAG_SET (testType)；
TP =(volatile uint64 *) 0x08000004u；/*未对齐访问的起始地址*/
eccb1 =(易失 uint64 *) 0x08000000u；/* bank1基字*/
/*SAFETYMCUSW 567 S MR:17.1,17.4 "需要指针增量"*/
eccb1 = eccb1 +(0x00400000u/sizeof (uint64))；/*指向 bank1基字 ECC 的指针*/
eccB2 =(易失 uint64 *) 0x08000008u；/* bank2基字*/
/*SAFETYMCUSW 567 S MR:17.1,17.4 "需要指针增量"*/
eccB2 = eccB2 +(0x00400000u/sizeof (uint64))；/*指向 bank2基字 ECC 的指针*/
/*启用对 ECC RAM 的写入*/
/*SAFETYMCUSW 9 S MR：12.2. 注释_10*/
/*SAFETYMCUSW 134 S MR：12.2 备注_5*/
bit_set (tcram1REG->RAMCTRL、TCRAM_RAMCTRL_ECCWREN)；
/*SAFETYMCUSW 9 S MR：12.2. 注释_10*/
/*SAFETYMCUSW 134 S MR：12.2 备注_5*/
bit_set (tcram2REG->RAMCTRL、TCRAM_RAMCTRL_ECCWREN)；
regBkupRamTh1 = tcram1REG->RAMTHRESHOLD；
regBkupRamTh2 = tcram2REG->RAMTHRESHOLD；
/*将阈值设置为1 */
tcram1REG->RAMTHRESHOLD = 0x1u；
tcram2REG->RAMTHRESHOLD = 0x1u；
_sl_Barrier 数据访问()；
/*导致1位 ECC 错误*/
* eccB1 ^= TCRAM_SYN_1bit_DATA_ECC；
* eccB2 ^= TCRAM_SYN_1bit_DATA_ECC；
/*从位置读取以生成错误*/
_sl_Barrier 数据访问()；
ramread64 =(* tp)；/*未对齐的读取*/
_sl_Barrier 数据访问()；
sl_FLAG_CLEAR (testType)；
中断；
但是， 当我在调试模式中逐步测试上述代码时，我只能看到生成1位 ECC 错误 ，但 ESM 2.16未设置。
Q2：出什么问题了吗？
