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我需要对 TM4C1294KCPDT 的 EEPROM 进行一些澄清。 数据表使用的术语未在数据表中定义、因此会引起混淆。
我们的应用对不同的数据使用不同的块。 块0包含一些在工厂写入的校准数据、通常只写入一次。 它不会填充块的整个64个字节、因此我们不会写入每个字、而只写入我们使用的字。
块1包含一些很少更改的校准数据。 与块0一样、它不使用整个64字节、只写入需要的字节。 此数据在产品生命周期内可能会更改(最多)几百次。
接下来、在块2中、一直到块96中、我们存储各种信息。 在产品生命周期内、可以多次写入此信息。 它始终写入静态地址、这意味着我们始终将其写入块2、偏移为零。 我们并非使用全部96个块、但数据确实跨越了许多块。
通过这些信息、EEPROM 的耐久性会是多少？ 我看过这个 帖子、这里的解释似乎与我们正在做的事情不符。 这也与我 在这篇文章中所读的内容不符。
我需要澄清一下，因为这两种说法对我来说似乎都没有意义。 按照我对数据表的读取方式、EEPROM 中的每个字都至少可以写入500K 次、最多可以写入1500万次、具体取决于所用的方法。 来自 TI 的人能否清楚地解释如何能够实现1500万次写入？ 此外、有人能否验证、无论我们如何写入每个单元格、最低写入量确实是500K？ 最后、有人能告诉我如何确定我们的 EEPROM 实施将如何持续？
我提前感谢大家的帮助和见解！
编辑：
我还应该提到的是，我们的程序使用 Tivaware 驱动程序库来执行所有的写入和读取操作，并且数据通常使用 EEPROMProgramNonBlocking()函数一次写入一个字。
我还打算询问数据表第8.2.4节中提到的内置磨损矫正。 我在 EEPROM 部分没有看到与此功能相关的任何其他内容、我想知道是否有任何有关此功能的详细信息！
此外、有人能否告诉我 EEPROM 的故障模式是什么？ 如果超过块2和3的寿命、块0和1是否会受到影响？ 此外、故障如何表现出来？ 块0和块1是否仍保留最初写入它们的数据、只有块2和3无法进一步写入？
再次感谢！
