[参考译文] RM57L843：闪存组7不能正确擦除

[引用 user="cingp">即使 ECC 已启用、我也希望闪存擦除至0xFFFFFFFF 该线程 为什么我的 RM57L843无法清晰地擦除？ 似乎可以解释、情况并非如此。

擦除后、如果您尝试随后将 0xFFFFFFFF 值与有效 ECC 一同编程、会发生什么情况？

谢谢、

我读过这篇文章、但我认为它与我看到的情况不完全相同。

擦除后、让我们假设我使用0xAA5555对0xF0200000进行编程、我会看到一些位从1变为0。 但情况并非如此、内存不会改变。

我没有明确地对有效的 ECC 进行编程、我只是假设 F021 API 在 RM57上执行此操作。 我必须检查。

再次感谢。

[引用 user="cingp">擦除后、让我们假设我使用0xAA5555对0xF0200000进行编程、我会看到一些位从1更改为0。 在这种情况下、存储器不会更改。[/quot]默认情况下、当创建 HALCoGen 工程时、将启用高速缓存、并将闪存的 MPU 区域设置为 NORMAL _OIWTNOWA_NONSHARED "存储器类型 NORMAL OUR 和 INNER WRITE 直写、无写分配和非共享"。

因此、CPU 可能缓存了已擦除的闪存值-请参阅 CCS/TMS570LC4357：使用 F021闪存库进行闪存编程时出现问题

[我自己还没有测试过这个]

切斯特、您好！

我将 MPU 更改为 normal_OIWTNOWA_nonshared、存在一些差异。 我还没有尝试高速缓存刷新方法。

我仍然很难使用在 RM48上成功写入组7的相同 F021例程。 由于 F021相同、因此其工作原理也应相同。

TI 是否有一个使用 F021 API 从组7中任何扇区读取和写入阵列而不存在高速缓存或 ECC 问题的 RM57示例？

谢谢
太棒了！

您好、Stomp、

我将把您的帖子转发给我们的一些 F021和 FEE 专家。 他们应能很快提供帮助。

您好、Stomp

我将看到我是否可以编写一个简单的示例。 在此之前、我想澄清几点。

1) 1)为组7配置的等待状态是什么。

2) 2)擦除后、您提到很少有位置读取0xFFFFFF7F。 如果禁用 ECC、您是否仍然读取相同的内容？

3) 3)您提到擦除后、您执行了空白检查。 空白检查是否通过。要确认您的擦除是否成功、您可以执行读取裕量1测试。

您好！

非常感谢您的帮助。

我们位于 RM57L843上。

1、3个等待状态

据我所知、无法从 RM57的闪存中禁用 ECC。  如果这是错误的、请告知。

3.要执行空白检查，我使用自己的算法(查找0xFFFFFFFF)，由于 ECC，它显然不起作用。 我还使用 Fapi_doBlankCheck()函数，由于 ECC 限制，该函数无法工作。

我不确定您的意思是读取 Margin1测试。 您有链接吗？

我认为我遇到的问题与几件事有关。

1.高速缓存。 通常在我复位器件后，我会看到编程内存的*部分*，有时内存内容会在相邻内存地址中重复。

2. ECC。

3、其他的事情也是随机的。 我注意 到，如果我设置了 Fapi_setActiveFlashBank (7)；然后设置 while (Fapi_checkFsmForReady()== Fapi_Status_FsmBusy)；while 循环可能永远不会在大约3/10程序运行时退出。

我的流程如下所示：

1. 使用基本的循环复制将整个组1扇区1加载到 RAM 中。
2. 修改数组的一部分
3. 将阵列重新写入闪存：
   1. Fapi_setActiveFlashBank()
   2. fapi_checkFsmForReady()  
   3. fapi_enableEpromBankSectors ()
   4. fapi_checkFsmForReady()
   5. Fapi_issue19 CommandWithAddress (Fapi_EraseSector...)
   6. 检查扇区是否被擦除
   7. fapi_checkFsmForReady()
   8. fapi_issueProgrammingCommand (...、16U、(LUint8*) 0U、0U、Fapi_AutoEccGeneration)；
   9. fapi_checkFsmForReady()

我认为我没有做任何特别错误的事情、因为这在 RM48上运行良好。

谢谢

太棒了！

您好！

我忘记了最重要的信息。

我已经针对 F021 API 的02.00.01和02.01.01版本进行了测试。

两个版本都在 RM48 LE 上工作、两个版本都不在 RM57 LE 上工作。

谢谢。

您好、Stomp、

我注意到您说您使用3 WS 付费访问。 请注意、FEE 在 RM57上是一个不同的组类型并且需要一个更高数量的 WS 并且取决于 HCLK 的频率。 假设您将 HCLK 配置为最大150MHz、则 FEE 的 WS 配置应为 EWAIT = 8。 但这可能是术语的混淆、因为正常的程序闪存是 RWAIT = 3 WS 要求。 请注意寄存器位字段名称的差异。 EWAIT 中的 EEPROM WS 置1、RWAIT 中的正常闪存置1。

谢谢 Chuck、

只是为了澄清、我将组0、1作为3WS、将组7作为9WS。

//设置闪存读取模式、地址等待状态和数据等待状态
flashWREG->FRDCNTL =(LUint32) 0x000000U
|((LUint32) 3U << 8U)
|(LUint32) 3U；

//设置闪存访问等待状态(对于组7
FSM_WR_ENA_FSM = 0x5U；
EEPROM_CONFIG_HL =(LUint32)




2U)；(LUint32)闪存= 0x0000U；(LUT_Un) Un = 0x000032；(LUint32) Un

//设置闪存组电源模式
flashWREG->FBPWRMODE =(LUint32) 0x00000000U

//*组7*/|
((LUint32) SYS_ACTIVE << 14U)
//*组1*/
|((LUint32) SYS_ACTIVE << 2U)
//*组0*/
|(LUint32) SYS_ACTIVE； 

我本应该更清楚一点。

此致

太棒了！

您好、Stomp、

很抱歉、我忘记了问。

函数 Fapi_initializeFlashBanks (HCLK_FREQ)的返回值是多少？ 是 Fapi_Status_Success (0)还是 Fapi_Error_InvalidHclkValue (8)？

确保仅在 Fapi_initializeFlashBanks 返回零(Fapi_Status_Success)时继续任何闪存操作。

您好！

在 RM57上、我们有150MHz HCLK、300MHz GCLK、其余时钟为75MHz、但37.5MHZ 的 EMAC (VCLK4A_DIV)除外。

我们的代码称为 Fapi_initializeFlashBanks (150U)；

我们检查状态、它始终是 Fapi_Status_Success。  如果不成功、 我们的驱动程序会返回报告。

我们还检查了 Fapi_initializeFlashBanks (300U)；使用 Fapi_Error_InvalidHclkValue 返回、以确保函数在不执行任何操作的情况下不返回0。

如果有任何帮助、我也一直在探索 HalCoGen 提供的 FEE 驱动器。  由于与上层的兼容性以及所需的验证工作、我们无法在系统中使用此驱动程序。  但我确实注意到：

FLASH_CONTROL_REGISTER->FrdCntL.FRDCNTRL_BITS.RWAIT = 0x3U；
FLASH_CONTROL_REGISTER->FsmWrEna.FSM_WR_ENA_BITS.WR_ENA_BITS.WR_ENA_ENA_ENA=0x5U；
FLASH_CONTROL_REGISTER->EEP_EEPROMODE.EEPROM.EEPROM_EEPROM_EEPROBLE.EWAIT = 0x4UVS_UVS_ENA=0x4UN.UN.UNA_CONTROL_ENA=0x

默认情况下、FEE 驱动器还将 EEPROM 等待设置为4、而不是8？？

谢谢！

您好、Stomp、

请在 RM57x 器件上找到附加的简单 Bank7擦除和编程例程。

e2e.ti.com/.../0068.F021_5F00_Sample.zip

您好！

首先，非常感谢您本人和其他人迄今提供的帮助，即世界一流的服务。

您的应用程序运行良好、与我的不同之处在于我只擦除一个扇区、而不是擦除整个组。 对于 RM57 (0x2000与0x1000)、您针对组大小所拥有的#defines 也稍微关闭了一点。

通过测试您的应用程序、它使我能够进一步定义我在应用程序中看到的问题。 我无法在您的应用程序中重现相同的结果、可能只是因为您的应用程序的大小非常小。

在 CCS 调试配置->闪存设置中、选择在编程期间擦除组7扇区1。
2.将我的固件下载到 RM57并运行它。
3.将整个 B7S1扇区读入 RAM 阵列。
4.修改 RAM 阵列中的一些字节。
擦除扇区 B7S1并重新编程阵列、所有 Fapi 命令返回成功。
6.在0xF0200000处的内存观察窗口中，我可以看到闪存内容目前没有改变。
7.将 RAM 阵列与闪存阵列进行比较会导致比较故障，但闪存未编程。
8.重新启动调试器、但不要运行应用程序。 请注意、内存监视现在显示了一个正确编程的闪存！！！

从本质上讲、闪存确实被正确编程、但在重新启动之前我不能再读回它、并且存储器调试窗口并不总是反映闪存的当前状态。

这只是我看到的一个缓存问题吗？

再次感谢
太棒了！

[报价]这只是我看到的一个高速缓存问题吗？[/quot]一些选项可以确定高速缓存是否导致了此问题：

1) 1)在"Memory Watch"窗口显示 Cortex-R5 CPU 上下文中的闪存内容没有变化后、尝试在调试访问端口(DAP)上下文中查看相同的闪存地址。 这是因为 DAP 上下文读取存储器目录、绕过 Cortex-R5 CPU 缓存。 如果 Cortex-R5 CPU 和 DAP 查看的闪存不同、这表示 CPU 缓存了缓存的"过时"内容。 有关  使用 DAP 访问存储器的链接、请参阅手动启动。

2) 2)在用于 FEE 地址空间的 HALCoGen PMU 配置中、尝试将类型更改为"device_sharedable"、以防止 FEE 的内容被缓存：

您好、Stomp、

让我再次确认。  
您的问题是、对组7进行编程后、您无法在存储器窗口中看到数据、但在复位后、您可以看到数据。 对吗？  

我进行了与您类似的实验、读取 BANK7-sector0并存储数据、擦除 BANK7 -扇区0并写入新的数据集。 它工作正常、我能够在存储器窗口中看到新数据、并能够通过代码读取。  

对于我的代码、组7的 MPU 类型为 NORMAL OINC_NONSHARED。 (这是不可高速缓存的配置)。

唯一需要注意的是 RM57x 器件 F021 API - Blankcheck 例程使用 DiagMode7、RM48x 器件则不是这种情况。

您好！

我认为一个更简单的解释：

"在编程期间擦除 Bank7 S1并首次运行应用程序后、尽管所有 Fapi 命令返回成功、但仍无法将任何数据编程到 B7处的闪存中"。

确定闪存是否已正确编程的方法是执行验证检查(失败)或查看存储器窗口(显示闪存仍处于擦除状态且可看到 ECC 校正)。

应用复位后、闪存按预期工作。

谢谢。

您好、Stomp、

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/312/6840.F021_5F00_Sample_5F00_v2.zip

我已附加 HALCoGen + CCS 项目。 它执行组7擦除、写入和验证。  

有两个从 RAM 和闪存运行 Blankcheck 的选项。 这可以由预处理器宏 run_from _RAM 控制(必须在 CCS 项目属性的 Compiler and Linker 选项中更改)。  

有关 MPU 设置、请参阅我附加的 HALCoGen 项目。  

注：我将 RAM 配置为不可高速缓存，只是为了执行它的代码。 如果从闪存运行、则不需要此设置。  

希望这对您有所帮助。