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器件型号：TMS570LS3137 您好！
我们在下面的勘误表中有几个问题
[]“正常”是否指 TRM 17.2.6中描述的正常模式？
[]我找不到 CPU 内存保护单元的细节。 17.2.14.2中仅提供有关严格排序和器件类型的简短说明。 您能给我指出 MPU 的含义以及 MPU 的记录位置吗？
EMIF#4写入配置为“正常”的外部异步存储器会导致额外的 WE
脉冲
严重程度3-中等
预期行为我们的脉冲数应与所需的正确写入次数相匹配
正在写入的数据的大小和 EMIF 的存储器宽度配置。 原因
例如、写入16位宽存储器的32位数据应产生两个写入脉冲。
问题在 EMIF 输出上观察到一个额外的 WE 脉冲。 字节使能信号
(EMIF_nDQM)对于额外的写入脉冲无效。 例如、EMIF_Nwe
对于通过16位接口进行的32位写操作、信号会发出三次。
条件1。 外部异步存储器的 MPU 配置正常。
2.写入外部异步存储器。
含义如果外部存储器或 FPGA 不使用、则可以执行额外的写入
字节使能信号来实际执行写入。 这可能会导致写入的数据不正确
外部存储器。
解决方法外部异步存储器必须配置为"器件"类型或"严格排序"
使用 CPU 的 MPU 键入。
谢谢、
－Gunter
