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[参考译文] CCS/TMS470MF06607：TMS470MF06607擦除闪存问题

admin
Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS470MF06607
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/592189/ccs-tms470mf06607-tms470mf06607-erasing-flash-problem

器件型号：TMS470MF06607

工具/软件：Code Composer Studio

您好！

使用 Flash_Erase_B ()擦除 TMS470MF06607的闪存时、 FLASH_STATUS_ST 结构的 stat2值将变为0x11。

这个问题的解决方案是什么？？？

闪存例程位于 SRAM 中的地址0x08000ea0。  在调试时，我将获得?？ 此特定位置的数据...即不存在任何值。

谢谢

Vikas

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    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    状态的位4 (0x10)表示擦除失败。 位0 (0x01)为扇区锁定。 我在下面发布了说明。  确保您的地址(pu32Start)正确、长度为32位字的数量、而不是字的数量。