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[参考译文] TMS570LC4357:闪存和 RAM 不可纠正的 ECC 错误识别

Guru**** 2329940 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/591548/tms570lc4357-flash-and-ram-uncorrectable-ecc-errors-identification

器件型号:TMS570LC4357

您好!

我正在收集有关 Cortex-R5F CPU 内部编程的 ECC 逻辑的信息、 据我了解、TMS570LC 内的2级闪存和 RAM 由内核通过同一 AXI 主接口进行查看、其中 ECC 不可纠正的错误通过 ESM 2.3 "Cortex-R5F 内核-总线 ECC"发送给错误检测模块(ESM)。

当它经历一个 ESM 组2错误时、我有一个被触发的 ESM 高优先级中断、并且当错误发生时、我可以安装一个例程来管理系统。

但是、如果在 RAM 上检测到错误、我需要有一个特定的行为;如果在闪存上检测到错误、我需要有另一个行为。

我如何从内核获取此信息? 或者从 TMS570内部的任何位置(RAM、闪存、互连...)?

谢谢!

盖尔

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    您好、Gael、

    RAM 和闪存 ECC 错误有单独的 ESM 错误标志。 ESM 通道在器件专用数据表内的 ESM 通道分配表中定义。
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    你好、Chuck、

    我从数据表 ESM 通道分配表(表6-45)中了解到、所有与 L2FMC ECC 相关的错误都不是数据读取时的双位 ECC 错误(由内核检测到)。
    Cortex-R5F 标志的那些通过内核总线 ECC 致命错误、即 ESM 的组2通道3被标记为 ESM。
    我对这个问题是否正确?
    谢谢
    盖尔
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    您好、Gael、

    很抱歉、我最初的回答没有说明 TMS570LC43x 与我们早期的 Hercules 器件之间的架构差异。 在这个特定器件中、RAM 和闪存驻留在 L2总线上、这会在它们被访问时引起一些延迟、从而导致报告不可纠正的错误条件时出现延迟。 由于这种延迟、我们依靠 R5F 内的事件总线机制来标记不可纠正的错误并通过 EPC 将其发出。 这一点的回退是、我们松开了不可纠正的错误的上下文、该错误是在闪存还是 RAM 中、并且能够锁存发生错误的地址。 简而言之、我们无法识别 SRAM 或闪存中是否存在不可纠正的错误。
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    谢谢、这回答了我的问题。

    此致、

    盖尔