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我们需要为此器件编写一个引导加载程序、并需要确认一些操作才能执行该操作:
* RAM 限制为16KB
*闪存限制为2组(组7 = 16KB、无法执行、组0 = 384KB)
* Cant 在组0中执行引导加载程序、因为这是我们唯一可以加载我们正在刷写的应用程序代码的位置、因此、如果引导加载程序在组0中、同时刷写应用程序代码、则需要在执行之前将引导加载程序复制到 RAM 中。
另一个问题-您能告诉我闪存库的字节是如何占用的?
谢谢
Larry
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我们需要为此器件编写一个引导加载程序、并需要确认一些操作才能执行该操作:
* RAM 限制为16KB
*闪存限制为2组(组7 = 16KB、无法执行、组0 = 384KB)
* Cant 在组0中执行引导加载程序、因为这是我们唯一可以加载我们正在刷写的应用程序代码的位置、因此、如果引导加载程序在组0中、同时刷写应用程序代码、则需要在执行之前将引导加载程序复制到 RAM 中。
另一个问题-您能告诉我闪存库的字节是如何占用的?
谢谢
Larry
您好、Larry、
您不需要将所有引导加载程序代码复制到 SRAM 执行。 您只需将文件复制到 SRAM:
fapi_UserDefinedFunctions.obj (.text)
bl_flash.obj (.text)
--library=...\..\lib\F021_API_CortexR4_be.lib (.text)
在 cmd 文件中定义的命令。
根据 CAN 引导加载程序示例、闪存 API 小于 4KB、整个引导加载程序大约为15KB。
此致、
问