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[参考译文] CCS/TM4C129DNCPDT:如何在 tm4c129中读取写入 SRAM

Guru**** 2325560 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C129DNCPDT
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/587355/ccs-tm4c129dncpdt-how-to-read-write-sram-in-tm4c129

器件型号:TM4C129DNCPDT

工具/软件:Code Composer Studio

大家好、

为了存储变量、我需要访问项目的 TM4C129dncpdt 的 SRAM 和闪存。 但我无法读取/写入和擦除。  

当我擦除闪存时、它将返回错误。 我该怎么做??  

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    您好!

     您对问题的描述不够详细。 使用 CCS 或 LM Flash Programmer 将程序加载到闪存中是否遇到问题? 或者您是否正在尝试使用 driverlib 读取和写入程序中的闪存? 如果您使用 driverlib 进行读取/写入、那么您会得到什么错误? 当您说它不起作用、包括 SRAM 时、我觉得它有点奇怪。 请详细说明您的问题。  

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    您好、Charles、

    我只需要从0x00004000至0x000040A8的内部闪存读取存储的变量;

    谢谢你。
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    您如何连接到 TM4C? 您有 JTAG 连接吗? 该部件是位于 TI 开发板、 Launchpad 还是定制板上? 您知道如何使用 Code Composer Studio吗?

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    我通过 tm4c launchpad 实现了 JTAG 连接、我知道 Code Composer Studio。 我知道、通过使用 code composer、我读取了闪存中存储的值、但我需要在存储在 tm4c 闪存中的程序中获取变量。
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    也许我不理解你的问题。 如果这不能回答您的问题、请再次尝试提问。

    将 code composer 连接到您的器件后、您可以通过选择"View"->"Memory Browser"、然后输入如下所示的起始闪存地址来查看闪存的内容:

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    尊敬的 Bob:
    我解决了在闪存中读取和写入的问题。

    我只知道我在闪存中写入一些数据,然后突然断开电源,那么会发生什么情况??

    还有多少次写入和擦除闪存?? 意味着擦除周期。
    是否有任何选项可在不擦除的情况下更新闪存数据??
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    如果在对闪存进行编程时断电、这些位可能处于"不确定"状态。 它们可能读为1或0、并可能在这些值之间翻转。 实际编程时间非常短、因此不会经常发生这种情况。 在擦除操作期间、更常见的做法是释放功率、因为擦除需要更长的时间。 您可以在不擦除的情况下将1编程为0。 如果不擦除、则不能将0改回1。 该闪存至少支持100、000个擦除周期。

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    尊敬的 Bob:

    感谢您的回复、我还阅读了相关数据表。
    实际上、写入/擦除周期在每次转换时都是背靠背的、如果它只支持1M 周期、那么这对我来说是不够的。

    接下来该怎么办??

    SRAM 比闪存更好??? 断电后,SRAM 将保留数据,还是不保留数据??

    如何将数据写入/擦除/读取到 SRAM?

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    您指的是 EEPROM 仿真存储器、而不是程序闪存。 以下是 TM4C129DNCPDT 上该存储器的写擦除规格: