[参考译文] CCS/TM4C1294NCPDT：关于 TM4C1294中 EPI 从 AD 读取数据的时间

您好！

我不清楚您的问题。 是否要测量访问 EPI 所需的时间？ 您说您在打开/关闭优化时会得到不同的结果吗？

下面是伪代码、还是您尝试测量访问 EPI 所需时间的类似内容？

x = SysTickValueGet ()；
对于(i=0；i<8；i++)｛
ACCESS_EPI ()；
｝
Y = SysTickValueGet ()；
差值= y-x；

如果以上内容用于测量8次访问 EPI 所需的时间、则结果将受到代码优化的影响。 上述代码序列包括对 ACCESS_EP()的函数调用以及其它所有内容。 不同的编译器优化设置可能会影响最终代码序列。 例如、通过优化、编译器可能能够展开 for 循环以获得某种速度、但会牺牲代码大小。

如果只想测量它只在 ACCESS_EP()中执行的时间，那么您需要从某种程度上删除 CPU 执行与其它所有内容相关的代码所花费的时间。 请注意 ACCESS_EP()是一个伪函数，我将用它来说明。 代码优化也会影响 ACCESS_EP()本身，除非它已经是一个库函数。

为了消除所有其他问题、我建议采用双通方法。 在第1遍中、您执行上面列出的代码序列。 在第二次传递中，您将按如下方式修改上述代码，只需添加另一个 ACCESS_EP()即可。

x = SysTickValueGet ()；
对于(i=0；i<8；i++)｛
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
｝
Y = SysTickValueGet ()；
time_difference = y-x；

现在、您将同时从 pass1和 pass2记录"time_differy"。 取这两个'time_different'之间的差异，您将获得八次执行 ACCESS_EP()的时间。 要获得一个 ACCESS_EP()中的时间量，只需除以8即可。

其他社区成员可能还可以分享其他巧妙的方法。

[引用用户="Charles Tsaaa"]其他社区成员可以分享其他巧妙的方法。

虽然(避免)任何"巧妙"的主张/表述-" for loop"(w/in pass 2)不会在测量中添加"可避免的"时间负担(循环的执行时间)？

以下哪项可以改善测量？

x = SysTickValueGet ()；

ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；
ACCESS_EPI ()；

y = SysTickValueGet ()； // 此函数会增加此序列的总体执行时间

time_difference = y-x； //在"y-x 减法"之后、采用8、16或32个"背靠背" EPI 序列-简单的"移位"(3、4或5)-无需进行分频。

如果一个唯一的 EPI 地址位可与最后的"access_epi()"-该位可由计时器锁存-从而消除 SysTickValue Get()引入的时间损失。  该同一个计时器将通过指令"清除并启用"-就在"EPI barrage"之前-从而替换第一个(顶部)"SysTickValue Get()"。  (即、清零和使能定时器优先-执行 EPI 序列-在出现唯一的 EPI 地址位时停止。)  再说一次-我们不知道或使用129x -但我知道这种方法适用于其他 ARM Cortex M4和 M7……

由于两个公司/我都不使用129x -我不知道"访问"(即可能不使用地址增量/减量)是否如此简单(并重复)、提供/反映了"真实世界"时序...  

让记录显示"Pro IDE (IAR、Keil)"都提供了"自动测量和显示此类时序"-无需/零代码！  (同时"供应商不可知")

您好 CB1、
感谢您分享您的想法。

让我定义如下：

a =执行一个 SysTickValueGet 的时间；
b =执行 for 循环和分支返回的时间
C =执行一个 ACCESS_EPI ()的时间

在 pass 1中、总时间为 a + 8 *(b + c)+ A
在 pass 2中、总时间为 a + 8 *(b + c + c)+ A

这两次通过之间的差异将是8 * C。如果除以8、则只能得到 c 的时间、即执行一个 ACCESS_EP()的时间。 通过这种方法，您可以消除与 for 循环和两个 SysTickValueGet ()相关的开销。 我认为，如果迭代次数增加，精度可能会更好，即 for 循环中从8次增加到16次，然后除以16以获得一个 ACCESS_EP()。

谢谢、我以您的方式测量了数据[7]=ui32MAPPINGAD[0x00000]、我发现它是100ns、但它是正常的吗？

EPI 需要多长时间才能读取 SRAM？

另一个问题是、我觉得我的1294没有在120MHz 下运行、因为   一条语句的执行时间和 我计算的时间之间的间隔太大、这是什么原因？

您好！

如何使用与一个通道上的 EPI 时钟同步的良好示波器进行测量？

这是显示实际持续时间的唯一工具。

此外、有关连接到 EPI 的器件的更多信息也很有用。

工作波形位于用户手册中、也请检查它们。

将 driverlib 中的函数替换为 ROM_VER版本。

非常感谢、如果 您能帮助我欢呼我 测量的3个信号波、那么我想帮助我欢呼；信号1是 ADC 的忙线、信号2是 ADC 读取 处理程序中的 LED I 指示灯。信号3 是计时器处理程序中的 LED I 指示灯、我发现边沿1和边沿2之间的时间是 大约500ns、我设置中断上升沿、但为什么它需要这么长的时间？

高级别时间为3.9us (黄色)、900ns (蓝色)、800ns (粉色)、代码如下：

无效
Timer0IntHandler (空)
｛
ROM_TimerIntClear (TIMER0_BASE、TIMER_TINA_TIMEOUT)；

ROM_GPIOPinWrite (GPIO_PORTM_BASE、GPIO_PIN_6、GPIO_PIN_6)；

ROM_GPIOPinWrite (GPIO_PORTD_BASE、GPIO_PIN_4、0)；//CONVSTA=0
ROM_GPIOPinWrite (GPIO_PORTD_base、GPIO_PIN_4、GPIO_PIN_4)；//CONVSTA=1

if (intflag=0)
｛
GPIOIntRegister (GPIO_PORTF_BASE、ADReadIntHandler)；
ROM_GPIOIntTypeSet (GPIO_PORTF_BASE、GPIO_PIN_1、GPIO_RISE_EDGE)；
ROM_IntEnable (INT_GPIOF)；
ROM_GPIOIntEnable (GPIO_PORTF_BASE、GPIO_PIN_1)；
intflag=1；
｝
ROM_IntMasterDisable()；
ROM_GPIOPinWrite (GPIO_PORTM_BASE、GPIO_PIN_6、0)；
ROM_IntMasterEnable()；
｝

空 ADReadIntHandler (空)
｛
ROM_GPIOIntClear (GPIO_PORTF_BASE、GPIO_PIN_1)；

ROM_GPIOPinWrite (GPIO_PORTM_BASE、GPIO_PIN_5、GPIO_PIN_5)；
// SysCtlDelay (120000000 /100000000 / 3)；
DATA[0]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[1]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[2]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[3]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[4]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[5]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[6]= ui32MAPPINGAD[0x000000]；
DATA[7]=ui32MAPPINGAD[0x000000]；
G_pui8USBTxBuffer[0]=数据[ADCMChannel]&0xFF；
G_pui8USBTxBuffer[1]=(DATA[ADCChannel]>8)&0xFF；
STATUSReg=0x00FF；
ROM_IntMasterDisable()；
ROM_IntMasterEnable()；
ROM_GPIOPinWrite (GPIO_PORTM_BASE、GPIO_PIN_5、0)；
｝

我不知道为什么时间 这么长、它 是否与设置相关？

您好、Wei、
您似乎提出了与 EPI 无关的另一个问题、这是正确的吗？

您好、Wei、

这里有几个想法：

-在120MHz 时，处理器上的每个时钟周期花费8.3ns -我们无法做任何事情。 一组需要10个周期的指令需要83ns 的周期。
-是的、同样：优化可以改变"整个过程"发生的时间-优化主要在循环结构、变量放置(寄存器/存储器)等上工作...
-如果您停止处理并查看 ISR 的汇编代码，则可以对周期数进行"评估"。 然后、您可以查找 ARM 文档来查看每个指令所需的周期数、或者使用 CB1建议的"资源更丰富的 IDE"。

100ns 约为12个周期、不是太多... 您真的需要比这更快的速度吗？ 在这种情况下、这可能不适合您。 请注意、如果在处理另一个中断时发生中断事件、您仍需要等待该中断完成、然后才能开始处理新中断、因此需要更长时间。

最后、请使用 用于发布代码的按钮(位于"丰富格式"内)。 如果您只是没有格式化、那么很难阅读论坛消息中的代码。

谢谢

布鲁诺

是的、但现在似乎您和 Bruno 以及 CB1_MOBILE 已经解决了我的问题。 非常感谢！

谢谢、我很长时间都很困惑、但我会将其更改为注册表单并修改我的代码、这是我第一次在博客上输入代码、所以我没有注意到我没有使用 非常感谢！

很抱歉！我还有另外一个问题：
使用 EPI 将数据从外部 SRAM 读取到内部 RAM 需要多长时间？

您好、Wei、

 很抱歉、我没有此数据。 我认为您可以比我更快地完成此基准测试、因为我目前没有一个板、它的 EPI 接口连接到外部 SRAM。 还记得我建议的测量 EPI 的方法。 我相信您可以将相同的方法用于双通方法。 您将从 SRAM 读取存储在内部 RAM 中的内部变量。 2次传递之间的差异是对内部变量读取8倍外部 SRAM 所需的周期数。 除以8、您应该得到一个从外部 SRAM 到内部 RAM 读取的迭代。 当从 SRAM 读取数据时、数据必须从 EPI 模块和某些互连(将系统连接在一起的结构)传输、然后才能加载到 CPU 寄存器中。 然后、需要将数据从寄存器写入 RAM。  

// pass1 
SRAM_CONFIG ()；//出于说明目的配置 EPI 以访问
UINT32数据；
x = SysTickValueGet ()；
for (i=0；i<8；i++)｛
data =*(SRAM_LOCATION)；
｝
y = SysTickValueGet ()；
time_difference = y-x； 

/pass2. 
SRAM_CONFIG ()；//出于说明目的配置 EPI 以访问
UINT32数据；
x = SysTickValueGet ()；
for (i=0；i<8；i++)｛
data =*(SRAM_LOCATION)； 

数据=*(SRAM_LOCATION)； 

｝ 
Y = SysTickValueGet ()； 
time_difference = y-x； 

您好！

EPI 专为访问低速外设而设计、包括 SRAM -因此、如果您想获得问题的答案、请告诉我们(来自数据表) 您的设备的访问时间是多少？您是如何配置的-因为您可能会添加一些等待状态以使设备具有良好的行为。 请勿使用默认值、因为它们与您的设备不匹配。

此外、考虑到 SysTick 中断无法提供有用的数据-这取决于它的配置方式、但无论如何、它不适合毫微秒周期、分辨率始终是单个 SysTick、这可能是错误的、并且可能会使您的微控制器承受压力(通常是中断)。 要获得分辨率为1个时钟周期 的更精确测量、请参见此链接。

不要忘记使用示波器。