[参考译文] TMS570LS1114：如何将重要数据保存到分割的 ROM 空间中

您好、Chi Qiu、

因此、为了让我了解问题说明、您需要在闪存内的某个位置分配4K (长度为0x1000)的空间来存储校准数据。 您提到的位置是0x000fe000的起始地址、我假设您确定的位置只是将其放置在偏僻的地方、如果需要、有一些增长空间。

您是否考虑为此目的使用第7列气缸组？ 或者是否计划使用组7来仿真 EEPROM 并存储更多动态数据？ 请注意、如果您使用组7、则可以在从组0执行时对其进行编程、而无需将 API 复制到 RAM 中、也可以使用 Halcogen 随附的 FEE 驱动器、并像仿真 EEPROM 一样对其进行管理、以便将来进行更新。 如果您选择 FEE 驱动器选项、则会产生一些开销、因此您需要为数据分配略高于4K 的区域、 但是、如果您严格地将其用作仅用于 THR 校准信息的附加数据闪存、则可以跳过 FEE 驱动器并直接使用闪存 API 以更高效地使用该空间。

如果您选择将校准数据保留在 Bank0中、则必须继续将 API 和支持代码复制到 RAM 中、以便可以将信息编程到 Bank0中。 这是因为无法同时从同一个银行执行和编程。 请注意、这与数据将存储在末尾无关、而是与执行数据位于同一个存储区中。

尊敬的 Chuck Davenport：
非常感谢您的热情申请。
您的理解。 由于 EEPROM 被用于其他函数并且 TMS570LS1114只有一个 BANK0、我必须将校准信息恢复到 CAL_ROM 中。因此我别无选择、只能使用闪存 API。我知道我必须首先将代码从闪存复制到 RAM、此外、 我需要将此数据加载到4K 室中(CAL_ROM、原始地址为0x000fe000、长度为0x00001000)。但我不知道如何加载此原始校准信息、 无论我是应该编写一个函数来加载此重要数据，还是应该使用 FAPI 函数直接在 main.c 中写入数据，都应该编写此信息帐户以复制闪存代码。
实际上、我知道我必须将此代码从闪存复制到 RAM 才能运行、但在应用此操作 FAPI 函数之后、我会遇到任何问题。 我尝试从 QJ Wang 中找出代码根、但我不熟悉汇编语言、构建项目时出现了许多问题。

谢谢、此致、
秋奇

我是否可以这样操作：
#pragma CODE_SECTIONS (main、".system")；// RAM 中的印象代码